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[導讀]伍爾特電子通過引入認證的X2薄膜和X&Y陶瓷電容器已完成其EMC項目。此外,還發(fā)布了鋁電解電容器、鋁聚合化合物電容器,以及多層陶瓷電容器(MLCC)。MLCC允許對單一來源的電能進行充分管理。干擾抑制電容器通過VDE, cUL

伍爾特電子通過引入認證的X2薄膜和X&Y陶瓷電容器已完成其EMC項目。此外,還發(fā)布了鋁電解電容器、鋁聚合化合物電容器,以及多層陶瓷電容器(MLCC)。MLCC允許對單一來源的電能進行充分管理。

干擾抑制電容器

通過VDE, cULus 和CQC認證的X2 薄膜電容器能在電壓范圍275 V (AC) 到 310 V (AC)之間提供可靠的干擾抑制。元件尺寸間距在7.5 到37.5 mm之間,最大電容為 6.8 μF,脈沖穩(wěn)定性則可達600 V/μs?;贛LCC的 X&Y電容器有 1808 ,1812 和 2211三種封裝規(guī)格以滿足微型化應(yīng)用要求。所有電容器均經(jīng)過TÜV測試,并符合相關(guān)UL標準。

鋁電解電容器

鋁電解電容器有多種設(shè)計類型供選擇,包括 V-Chip SMD, 帶引線THD (Radial THD),和 Snap-I,具有高電容值,應(yīng)用電壓最高達450V(DC),并可提供非極性版本。產(chǎn)品包括適用于85 °C工作溫度和1000小時工作壽命的標準應(yīng)用電容器,以及適用于高達125 °C工作溫度和長達10000小時工作壽命的電容器

鋁聚合化合物電容器

鋁聚合化合物電容器在電荷存儲設(shè)備領(lǐng)域是公認的創(chuàng)新。伍爾特電子的鋁聚合化合物電容提供V-Chip SMD 和 Radial THD兩種封裝。擁有超低ESR值,高電容值和長壽命的特性,目前工作電壓最高可達63 V(DC)。

這套電容器系列搭配從0402到1812所有規(guī)格的MLCC可完全滿足一般應(yīng)用。將來,其他元件還會被陸續(xù)添加到這套系列中,如靈活終端及其他特殊類型。

近期產(chǎn)品目錄中的所有電容都備有現(xiàn)貨,也提供免費樣品試用。此外,公司還提供各種適合X2薄膜和MLCC電容的設(shè)計套裝。

和新電容一起上市的還有一本來自伍爾特電子的使用手冊《The "ABC of Capacitors" 》,有德語和英語兩個版本,面向開發(fā)者,以實用為出發(fā)點詳盡介紹了有關(guān)電容器的知識。本書由開發(fā)者撰寫。

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