IGBT進(jìn)口替代空間大 電子元器件需求強(qiáng)勁

由于全球金融危機(jī)和半導(dǎo)體行業(yè)的周期性波動，全球半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量從 08年4季度到09年1季度經(jīng)歷了大幅下滑，主要經(jīng)濟(jì)體的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量都降到5年以來的最低水平。隨著經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁復(fù)蘇并步入景氣上升階段，到09年4季度半導(dǎo)體產(chǎn)品的出貨量基本恢復(fù)到08年的最高水平。

在2010年，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了非常高的景氣階段，全球各主要經(jīng)濟(jì)體的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量都屢創(chuàng)新高，進(jìn)入3季度以后，需求依然非常強(qiáng)勁，出貨量仍在高點(diǎn)。

過去幾年，中國功率器件市場一直保持增長，中國已經(jīng)成為全球最大的功率器件市場，隨著中國工業(yè)化的深入以及經(jīng)濟(jì)持續(xù)發(fā)展，功率器件在未來幾年仍將保持增長。而處在增長期的IGBT作為第三代功率器件，由于其開關(guān)快、損耗低、通態(tài)電流較大等諸多優(yōu)點(diǎn)，將在未來幾年保持高速的增長。

電力電子器件的發(fā)展經(jīng)歷了晶閘管（SCR）、可關(guān)斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）、絕緣柵晶體管（IGBT）等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅(qū)動、低損耗、模塊化、復(fù)合化方向發(fā)展，與其他電力電子器件相比，IGBT 具有高可靠性、驅(qū)動簡單、保護(hù)容易、不用緩沖電路和開關(guān)頻率高等特點(diǎn)。

目前，應(yīng)用在中壓大功率領(lǐng)域的電力電子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互競爭不斷創(chuàng)新的技術(shù)市場，在大功率（1MW），低頻率（1kHz）的傳動領(lǐng)域，如電力牽引機(jī)車領(lǐng)域 GTO、IGCT、IGBT 各有優(yōu)勢，而在高載波頻率、高斬波頻率下，IGBT、IEGT有著廣闊的發(fā)展前景，在現(xiàn)階段中壓大功率變頻領(lǐng)域?qū)⒂蛇@4種電力電子器件構(gòu)成其主流器件。另外，IGBT在所能應(yīng)用的范圍正在大范圍的替代了傳統(tǒng)的晶閘管（SCR）、可關(guān)斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）等器件。

處在增長期的 MOSFET 和 IGBT 則市場上長期由外資廠商占據(jù)，由于MOSFET的前端生產(chǎn)工藝同IGBT類似，在國內(nèi)許多廠商做成功生產(chǎn)出MOSFET系列產(chǎn)品之后將可以轉(zhuǎn)而試生產(chǎn)IGBT，目前，中環(huán)股份、華微電子、士蘭微等都將量產(chǎn)出貨，而東光微電也有可能盡快做出IGBT樣品。

由于未來幾年工業(yè)化持續(xù)深入，IGBT 最大的應(yīng)用領(lǐng)域工業(yè)控制領(lǐng)域?qū)⒈３殖掷m(xù)的較高速度增長；同時(shí)，由于電磁爐、微波爐、變頻家電以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品的快速發(fā)展，消費(fèi)電子已經(jīng)成為IGBT的第二大應(yīng)用領(lǐng)域，在產(chǎn)品數(shù)量上甚至已經(jīng)超過了工控領(lǐng)域IGBT數(shù)量，但是價(jià)格相對較低，所以市場規(guī)模低于工控領(lǐng)域；值得注意的是，由于變頻家電在整個(gè)國內(nèi)市場的滲透率還比較低，所以還有巨大的發(fā)展空間；在汽車電子方面，IGBT 已經(jīng)全面替代達(dá)林頓管成為點(diǎn)火裝臵的首選器件，而IGBT也將隨著汽車在國內(nèi)的發(fā)展保持較高速度的增長；此外，作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，IGBT 在電力傳送、列車牽引、太陽能及風(fēng)能發(fā)電以及新能源汽車方面的應(yīng)用將明顯受益于國家的智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)及新能源建設(shè)等宏觀政策。此外，由于 IGBT 本身的技術(shù)不斷進(jìn)步以及各國對能源問題的重視，IGBT 將在中高壓大電流領(lǐng)域替代部分的SCR和GTO產(chǎn)品。