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[導(dǎo)讀]創(chuàng)新的元器件為各種應(yīng)用提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布其2014年“Super 12”明星產(chǎn)品。每年,Vishay都會挑出12

創(chuàng)新的元器件為各種應(yīng)用提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格

21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布其2014年“Super 12”明星產(chǎn)品。每年,Vishay都會挑出12款采用全新技術(shù),能夠大幅提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)性能的重要半導(dǎo)體和無源元器件。Vishay的Super 12集中展示了公司在半導(dǎo)體和無源器件的卓越實(shí)力,并且讓人能從中了解Vishay的廣泛產(chǎn)品組合。

2014年的Super 12產(chǎn)品如下:

Vishay Dale WSLP表面貼裝Power Metal Strip® 電阻—WSLP是用于高性能產(chǎn)品如汽車、計(jì)算機(jī)、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用,采用小尺寸外形,具有10W高功率和低至0.0003Ω的極低阻值,以及0.5%的嚴(yán)格阻值容差。

采用SMPA封裝的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器—45V器件在3A電流下的正向壓降低至0.37V,高度為0.95mm,采用SMPA封裝,通過AEC-Q101認(rèn)證,適合汽車應(yīng)用,50V整流器適用于智能手機(jī)和平板電腦的充電器。

Vishay Sfernice PRAHT高精度薄膜SMD卷包片式電阻—PRAHT 4電阻網(wǎng)絡(luò)適用于高溫鉆井和航空應(yīng)用,工作溫度從-55℃到+215℃,最高儲存溫度達(dá)+230℃,是業(yè)內(nèi)首個(gè)采用薄膜技術(shù)制造的排阻。

Vishay Semiconductors TCPT1350X01/TCUT1350X01 SMD透射式光傳感器—通過AEC-Q101認(rèn)證的單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01適合汽車和工業(yè)應(yīng)用,工作溫度高達(dá)+125℃,間隙寬3.0mm,典型輸出電流為1.6mA。

Vishay Dale IHCL復(fù)合耦合電感器—IHCL器件采用IHLP® 技術(shù)制造,可在SEPIC DC/DC轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)高性能。器件在小尺寸10.16mm x 10.67mm封裝里集成了兩個(gè)電感器,耦合超過90%,工作溫度高達(dá)+155℃。

Vishay Siliconix SiZ340DT雙通道N溝道30V MOSFET—非對稱雙通道功率MOSFET采用TrenchFET ® Gen IV技術(shù),比采用PowerPAIR 3mm x 3 mm封裝尺寸的前一代器件的導(dǎo)通電阻低57%,功率密度高25%,效率高5%。

Vishay Roederstein MKP1848C金屬化聚丙烯DC-Link膜電容器—MKP1848C針對DC-link應(yīng)用,1μF~500μF的容量范圍是業(yè)內(nèi)最寬的,占位只有9mm x 32mm x 19mm,電壓等級為500V~1200V。

Vishay Siliconix SiP12109 microBUCK®集成同步降壓穩(wěn)壓器—4A電流的SiP12109在節(jié)省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝里集成了高邊和低邊功率MOSFET,為設(shè)計(jì)者提供了面積僅有180mm2的完整高電流解決方案。

Vishay Vitramon QUAD HIFREQ系列MLCC—QUAD HIFREQ系列MLCC是針對通信、醫(yī)療、軍工和工業(yè)設(shè)備及儀表中的高頻RF應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,具有超過2000的超高Q值和0.01Ω的超低ESR,采用1111外形尺寸,電壓等級為1500V。

Vishay Siliconix SiHG47N60E/E系列高壓MOSFET—SiHG47N60E屬于Vishay的E系列600V MOSFET,在10V下的導(dǎo)通電阻為99mΩ,柵極電荷為147nC,可以實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,在高功率、高性能開關(guān)應(yīng)用中能夠節(jié)省能源。

Vishay MCB WCR水冷功率電阻—WCR電阻在60℃進(jìn)水口溫度下的功率耗散高達(dá)2500W,可以承受10秒鐘的5000W高能脈沖,適合用作大型驅(qū)動器、HVDC/SVC的緩沖器和直流分壓電阻。

采用SMPD封裝的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器—這些45V~120V器件針對商業(yè)應(yīng)用,在15A下的正向壓降低至0.40V。SMPD封裝的占位兼容D2PAK(TO-263),而1.7mm的典型高度則更低。

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