Vishay公布2017年新“Super 12”明星產(chǎn)品

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公布2017年的“Super 12”明星產(chǎn)品。每一年，Vishay都會(huì)精選出12個(gè)采用新技術(shù)或改進(jìn)技術(shù)，能夠顯著提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)性能的重要半導(dǎo)體和無(wú)源元器件。Vishay的“Super 12”精選產(chǎn)品彰顯了公司在半導(dǎo)體和無(wú)源元件領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力，是Vishay廣泛產(chǎn)品組合的集中體現(xiàn)。

2017年Super 12產(chǎn)品如下：

Vishay Siliconix SQJQ480E 80V N溝道 TrenchFET® 功率MOSFET - 這顆汽車級(jí)MOSFET采用厚度1.9mm的小尺寸PowerPAK® 8x8L封裝，導(dǎo)通電阻低至3mΩ，可減小傳導(dǎo)損耗和功率損耗，提高效率，而且可以在+175℃高溫下工作。

Vishay T59系列vPolyTanTM多陽(yáng)極聚合物表面貼裝片式電容器 - T59系列采用聚合物鉭技術(shù)和Vishay的專利多陣列包裝(MAP)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的容值密度，同時(shí)保持25mΩ的最佳ESR。電容器采用模塑EE(7343-43)外形編碼，單位體積效率比類似器件高25%。

Vishay Semiconductors VCNL4035X01接近和環(huán)境光傳感器 - 全集成的VCNL4035X01在小尺寸表面貼裝封裝里組合了接近和環(huán)境光的光探測(cè)器、信號(hào)調(diào)理IC、16位ADC，以及最多支持3個(gè)外置IRED的驅(qū)動(dòng)，可用于便攜式電子產(chǎn)品和智能家居中的手勢(shì)識(shí)別、工業(yè)和汽車應(yīng)用。

Vishay Dale WSLF2512 SMD Power Metal Strip®檢流電阻 - WSLF2512的額定功率達(dá)6W，電阻芯的TCR低至±20ppm/℃，電阻值只有0.0003Ω，外形尺寸為2512，功率密度達(dá)到192W/平方英寸(0.3W/mm2)，在高功率電路中能節(jié)省電路板空間。

Vishay Semiconductors VTVSxxASMF系列SMD TVS保護(hù)二極管 - VTVSxxASMF系列器件是業(yè)內(nèi)首批實(shí)現(xiàn)2%雪崩擊穿電壓容差TVS，采用超薄SMF封裝，可承受400W、10/1000μs的高浪涌，適用于便攜式電子產(chǎn)品。

Vishay Dale IHLE-5A系列超薄、大電流電感器 - 汽車級(jí)IHLE-5A系列器件的外形尺寸為2525、3232和4040，采用能減小EMI的集成屏蔽，不需要使用分立的板級(jí)Faraday屏蔽，從而降低成本，節(jié)省電路板空間。

Vishay Siliconix SiC462同步microBUCK®穩(wěn)壓器 - SiC462集成了高邊和低邊MOSFET，在最高1MHz開關(guān)頻率下能連續(xù)輸出6A電流，可調(diào)的輸出電壓低至0.8V，輸入電壓為4.5V～60V。

Vishay MKP1847H交流濾波膜電容器 - MKP1847H經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，能保證在各種工作條件下都保持極為穩(wěn)定的電容和ESR參數(shù)。該電容器非常適合高濕環(huán)境，是業(yè)內(nèi)首顆在額定電壓下完成1000小時(shí)的苛刻的耐濕性測(cè)試(85℃，85%相對(duì)濕度)的器件。

Vishay Semiconductors 10A～30A FRED Pt® Ultrafast整流器 - Vishay的這款超快整流器采用SMPD封裝，高度只有1.7mm，與TO-263封裝兼容。這顆器件通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，可用于汽車和工業(yè)應(yīng)用，能在+175℃高溫下工作，恢復(fù)時(shí)間只有25ns。

Vishay Dale IHXL-2000VZ-5A電感器 - IHXL-2000VZ-5A是業(yè)內(nèi)首顆通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，在電感減小20%情況下飽和電流達(dá)到190A的電感器。器件的尺寸為50.8mm x 50.8mm x 21.5mm，其2000外形尺寸是這類復(fù)合材料電感器中最大的。

Vishay Siliconix SiRA20DP 25V N溝道TrenchFET功率MOSFET - SiRA20DP在10V下的導(dǎo)通電阻低至0.58mΩ，可減少傳導(dǎo)功率損耗，提高功率密度，其典型柵極電荷為61nC，可實(shí)現(xiàn)高效的DC/DC轉(zhuǎn)換。

Vishay DCRF水冷功率繞線電阻 - DCRF電阻的功率耗散高達(dá)9000W，功率處理能力比相同尺寸采用自然冷卻的電阻高10倍。電阻采用小尺寸的模塊化設(shè)計(jì)，高過(guò)載承受能力(2倍標(biāo)稱功率下保持60秒)。