瑞薩發(fā)布 P溝道功率MOSFET

 瑞薩科技公司(Renesas)發(fā)布了HAT1125H –30 V擊穿電壓P溝道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)導(dǎo)通電阻，用于筆記本電腦和類似產(chǎn)品中的電源管理開關(guān)和鋰離子電池充電/放電控制。2004年6月8日，將在日本開始樣品發(fā)貨。

    與瑞薩科技先前的產(chǎn)品相比，HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低，將有助于設(shè)計(jì)小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。

    筆記本電腦最近的趨勢(shì)包括功能更高、CPU速度更快（隨著處理信息量的增加，需要處理大量數(shù)據(jù)）、電壓更低以及電流更大。因此要求DC-DC轉(zhuǎn)換器電源管理開關(guān)，能夠有效地控制更大的電流。由于開關(guān)電阻對(duì)損耗特性有不利影響，要求進(jìn)一步減小這些電源開關(guān)中P溝道功率MOSFET的導(dǎo)通電阻。同時(shí)，隨著系統(tǒng)越來越緊湊，需要減小安裝面積。

    為應(yīng)對(duì)這些需要，目前瑞薩科技大量生產(chǎn)低導(dǎo)通電阻的HAT1072H，由于使用SOP-8尺寸LFPAK封裝，具有很低的功率MOSFET導(dǎo)通電阻和熱阻，現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)出HAT1125H，通過使用更好的工藝進(jìn)一步減小了導(dǎo)通電阻。

    HAT1125H是P溝道功率MOSFET，具有–30 V漏源擊穿電壓和–4.5 V柵壓。通過使用很好的工藝，改進(jìn)并優(yōu)化了元胞結(jié)構(gòu)密度，從而可以達(dá)到2.7 mΩ (典型值)的導(dǎo)通電阻，與瑞薩科技目前的HAT1072H相比，大約減小了25%。它是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品，提高了系統(tǒng)的輸出效率。為了達(dá)到更低的電阻，很多系統(tǒng)并聯(lián)使用多個(gè)功率MOSFET；在這些系統(tǒng)中使用HAT1125H，可以減少使用的功率MOSFET的數(shù)量、減小安裝面積。

    使用的封裝形式是與先前型號(hào)相同的LFPAK SOP-8尺寸小型表面安裝封裝，由于使用無引線結(jié)構(gòu)，使得引線引起的電阻、電感最小。

典型應(yīng)用
· 電源管理開關(guān)：筆記本電腦和類似的便攜式設(shè)備。
· 充電/放電控制電路：筆記本電腦使用的鋰離子電池