[導(dǎo)讀]英飛凌科技股份公司推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封裝的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N溝道MOSFET，在這些擊穿電壓下可提供無鉛封裝形式下的全球最低通態(tài)電阻。
英飛凌科技股份公司推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封裝的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N溝道MOSFET，在這些擊穿電壓下可提供無鉛封裝形式下的全球最低通態(tài)電阻。SuperSO8封裝與標(biāo)準(zhǔn)TO（晶體管外形）封裝相比，可使功率密度增大50%，特別是對于服務(wù)器開關(guān)模式電源的同步整流應(yīng)用而言。舉例來說，這種采用SuperSO8封裝的器件可以只用20%的占位空間提供與D²-Pak封裝相同的通態(tài)電阻。
“該無鉛結(jié)構(gòu)封裝具備較低的封裝寄生電阻和電感，最大程度降低了對整個器件性能的影響，便于充分利用OptiMOS 3硅技術(shù)功能?！?strong>英飛凌電源管理與驅(qū)動產(chǎn)品事業(yè)部負(fù)責(zé)人Gerhard Wolf指出。
全新OptiMOS 3系列可提供出類拔萃的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封裝具備最低1.8 m的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 60V采用SuperSO8封裝具備最低2.8 m的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 80V采用SuperSO8封裝具備最低4.7 m的通態(tài)電阻，與最接近的競爭性產(chǎn)品相比，通態(tài)電阻降幅高達50%，為業(yè)界樹立了新標(biāo)桿。這些器件的FOM（品質(zhì)系數(shù)，以通態(tài)電阻乘以柵極電荷得出）與采用標(biāo)準(zhǔn)TO封裝的同類產(chǎn)品相比高出25%，能夠更快速實現(xiàn)開關(guān)，同時最大程度降低開關(guān)損耗和柵極驅(qū)動損耗，提高功率密度，降低驅(qū)動器散熱量。SuperSO8封裝寄生電感不到0.5nH，比TO-220封裝的5-10nH電感低很多，這進一步提升了器件整體效率，最大程度上減少在開關(guān)條件下的振蕩現(xiàn)象。SuperSO8封裝高度為1mm，Rth-jt （結(jié)至頂端的熱阻）低于16°K/W，適用于嵌入式系統(tǒng)頂部冷卻解決方案或立式安裝在3D集成系統(tǒng)里的PCB模塊。
OptiMOS 3 40V、60V和80V產(chǎn)品適用于需要高效率和功率密度的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用，包括眾多產(chǎn)品的SMPS（開關(guān)模式電源）、DC/DC轉(zhuǎn)換器和直流電機驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品包括計算機、家用電器、小型電動車、工業(yè)自動化系統(tǒng)、電信設(shè)備和電動工具、電動剪草機和風(fēng)扇等消費類電子設(shè)備。
采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3可滿足多種應(yīng)用中的快速開關(guān)SMPS和DC/DC轉(zhuǎn)換器的需求，譬如AC/DC SMPS中的同步整流器、隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的主側(cè)開關(guān)和次側(cè)開關(guān)和非隔離（降壓）工業(yè)轉(zhuǎn)換器，對于這些應(yīng)用而言，空間、功率密度和最大效率都是關(guān)鍵要素。該系列具備至PCB的1°K/W熱阻、頂部和雙側(cè)冷卻功能以及100A持續(xù)電流額定值，新的OptiMOS 3 MOSFET系列為40V至80V低電阻MOSFET樹立了新標(biāo)桿。該系列還包括業(yè)界首款采用S3O8封裝的60V和80V擊穿電壓MOSFET，其占位空間與標(biāo)準(zhǔn)SO8或SuperSO8器件相比減少60%。
60V和80V SuperSO8器件與采用TO封裝的解決方案相比可使服務(wù)器SMPS的效率提高0.5%，或與標(biāo)準(zhǔn)解決方案相比，在通態(tài)電阻額定值提高20%的條件下，可獲得相同的效率。
全新OptiMOS 3 40V、60V與80V功率MOSFET系列采用SuperSO8和S3O8封裝，具有不同的通態(tài)電阻額定值。OptiMOS 3 60V系列現(xiàn)已開始批量生產(chǎn)，40V 和 80V器件目前只提供樣品。
在訂購量達到萬件時，采用SuperSO8封裝且通態(tài)電阻為2.8 m的OptiMOS 3 60V單價不超過0.99美元（0.64歐元），采用SuperSO8封裝且通態(tài)電阻為4.7 m的OptiMOS 3 80V單價約為1.1美元（0.70歐元）。在同樣訂購量下，采用S308封裝的6.7 m OptiMOS 3 60V的單價為0.6美元（0.38歐元），而采用封裝的12.3 m Opti-MOS 3 80V的單價為0.66美元（0.42歐元）。
“該無鉛結(jié)構(gòu)封裝具備較低的封裝寄生電阻和電感，最大程度降低了對整個器件性能的影響，便于充分利用OptiMOS 3硅技術(shù)功能?！?strong>英飛凌電源管理與驅(qū)動產(chǎn)品事業(yè)部負(fù)責(zé)人Gerhard Wolf指出。
全新OptiMOS 3系列可提供出類拔萃的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封裝具備最低1.8 m的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 60V采用SuperSO8封裝具備最低2.8 m的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 80V采用SuperSO8封裝具備最低4.7 m的通態(tài)電阻，與最接近的競爭性產(chǎn)品相比，通態(tài)電阻降幅高達50%，為業(yè)界樹立了新標(biāo)桿。這些器件的FOM（品質(zhì)系數(shù)，以通態(tài)電阻乘以柵極電荷得出）與采用標(biāo)準(zhǔn)TO封裝的同類產(chǎn)品相比高出25%，能夠更快速實現(xiàn)開關(guān)，同時最大程度降低開關(guān)損耗和柵極驅(qū)動損耗，提高功率密度，降低驅(qū)動器散熱量。SuperSO8封裝寄生電感不到0.5nH，比TO-220封裝的5-10nH電感低很多，這進一步提升了器件整體效率，最大程度上減少在開關(guān)條件下的振蕩現(xiàn)象。SuperSO8封裝高度為1mm，Rth-jt （結(jié)至頂端的熱阻）低于16°K/W，適用于嵌入式系統(tǒng)頂部冷卻解決方案或立式安裝在3D集成系統(tǒng)里的PCB模塊。
OptiMOS 3 40V、60V和80V產(chǎn)品適用于需要高效率和功率密度的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用，包括眾多產(chǎn)品的SMPS（開關(guān)模式電源）、DC/DC轉(zhuǎn)換器和直流電機驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品包括計算機、家用電器、小型電動車、工業(yè)自動化系統(tǒng)、電信設(shè)備和電動工具、電動剪草機和風(fēng)扇等消費類電子設(shè)備。
采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3可滿足多種應(yīng)用中的快速開關(guān)SMPS和DC/DC轉(zhuǎn)換器的需求，譬如AC/DC SMPS中的同步整流器、隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的主側(cè)開關(guān)和次側(cè)開關(guān)和非隔離（降壓）工業(yè)轉(zhuǎn)換器，對于這些應(yīng)用而言，空間、功率密度和最大效率都是關(guān)鍵要素。該系列具備至PCB的1°K/W熱阻、頂部和雙側(cè)冷卻功能以及100A持續(xù)電流額定值，新的OptiMOS 3 MOSFET系列為40V至80V低電阻MOSFET樹立了新標(biāo)桿。該系列還包括業(yè)界首款采用S3O8封裝的60V和80V擊穿電壓MOSFET，其占位空間與標(biāo)準(zhǔn)SO8或SuperSO8器件相比減少60%。
60V和80V SuperSO8器件與采用TO封裝的解決方案相比可使服務(wù)器SMPS的效率提高0.5%，或與標(biāo)準(zhǔn)解決方案相比，在通態(tài)電阻額定值提高20%的條件下，可獲得相同的效率。
全新OptiMOS 3 40V、60V與80V功率MOSFET系列采用SuperSO8和S3O8封裝，具有不同的通態(tài)電阻額定值。OptiMOS 3 60V系列現(xiàn)已開始批量生產(chǎn)，40V 和 80V器件目前只提供樣品。
在訂購量達到萬件時，采用SuperSO8封裝且通態(tài)電阻為2.8 m的OptiMOS 3 60V單價不超過0.99美元（0.64歐元），采用SuperSO8封裝且通態(tài)電阻為4.7 m的OptiMOS 3 80V單價約為1.1美元（0.70歐元）。在同樣訂購量下，采用S308封裝的6.7 m OptiMOS 3 60V的單價為0.6美元（0.38歐元），而采用封裝的12.3 m Opti-MOS 3 80V的單價為0.66美元（0.42歐元）。
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