德州儀器柵極驅(qū)動器進一步壯大GaN FET 驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品陣營

高靈活低側柵極驅(qū)動器帶來高效率與高電源密度

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅(qū)動器。 LM5114 可驅(qū)動同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器等低側應用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業(yè)界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅(qū)動器 LM5113 ，可為高性能電信、網(wǎng)絡以及數(shù)據(jù)中心應用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換驅(qū)動器解決方案。如欲了解詳情或訂購樣片與評估板，敬請訪問： http://www.ti.com/gan-pr。

LM5114 可通過 5 V 電源電壓的獨立源極與汲極輸出（sink and source output）驅(qū)動標準 MOSFET 與 GaN FET。它具有使用較大或并行 FET 的大功率應用中所需的 7.6 A 高峰值關斷電流功能。此外，提高的下拉強度還有助于該器件驅(qū)動 GaN FET。獨立源極與汲極輸出可取消驅(qū)動器路徑中的二極管，準確控制升降時間。

LM5114 低側柵極驅(qū)動器的主要特性與優(yōu)勢：

可優(yōu)化升降時間的獨立源極與汲極輸出支持更高的效率；
+4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應用；
0.23 歐姆的開漏下拉汲極輸出可避免無意接通；
7.6 A/1.3 A 峰值汲極／源極驅(qū)動器電流可最大限度減少電壓突變(DV/DT)的影響；
匹配反相及非反相輸入之間的延遲時間，可降低停滯時間損耗；
12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時，支持高開關頻率；
高達 14 V 的邏輯輸入（不受 VCC 影響）；
-40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度。