一種電流型DC/DC變換器的研制
開關(guān)變換器通常采用電壓型和電流型兩種控制方式[1]。電壓型控制器只有電壓反饋控制,電流型控制器增加了電流反饋控制,電流型控制比電壓型控制的 PWM 具有許多優(yōu)點(diǎn),它能自動對稱校正、可實(shí)現(xiàn)逐周限流、輸出并聯(lián)工作方便、更快的負(fù)載動態(tài)響應(yīng)及簡單的回路補(bǔ)償?shù)忍匦浴?/P>
2 高頻電流型脈寬控制器 UC3825B
UC3825B 是高性能脈寬控制器[2]。該控制器包含精確的電壓基準(zhǔn)、微功率啟動電路、軟啟動、高頻振蕩器、寬帶誤帶放大器、快速電流限制比較器、雙脈沖抑制邏輯和雙圖騰柱輸出驅(qū)動器。信號經(jīng)過電流限制和比較器,邏輯和輸出驅(qū)動器,具有很短的傳輸延時。
UC3825B 具有以下特點(diǎn):適用于電壓型或電流型開關(guān)電源電路;實(shí)際開關(guān)頻率可達(dá)1MHz以上;輸出脈沖最大傳輸延遲時間為50ns;具有兩路大電流推拉式輸出,峰值電流為2A,;具有軟啟動控制;具有逐脈沖限流比較器;具有全周期再啟動的封鎖式過流比較器;啟動電流很小——典型值為100mA;在欠壓鎖定期間,輸出低電平及空載電流可降低到啟動電流值。
3 1MHz 電流型 PWM DC/DC變換器
3.1 主要技術(shù)參數(shù)
輸出電壓:36V±3V
開關(guān)頻率:1MHz
輸出電壓:5V
輸出電流:20A
額定輸出功率:100W
效率:86%
3.2 電路原理框圖
圖1為該1MHz 電流型 PWM DC/DC變換器的原理框圖;變換器的主電路原理見圖2。電流型控制電路以 UC3825B 為核心,開關(guān)頻率為1MHz;變換器采用推挽式[3]主電路 ;同步整流采用功率 MOSFET 可控整流電路;輔助電流由電阻和12V穩(wěn)壓管組成(也可采用自舉電路),為 UC3825B 提供+12V 電源;電流采樣是取變壓器初級串聯(lián)電阻上的電壓(見圖2中電阻R)。
3.3 UC3825B 的限流和占空比控制
變壓器初級電流流過取樣電阻R后,在R兩端產(chǎn)生正比于初級電流的電壓,該電壓經(jīng) RC 濾波加到 UC3825B 的9腳,從而實(shí)現(xiàn)逐周限流。正常工作狀態(tài)下,UC3825的9腳輸入電壓必須低于1V 門限電壓。9腳輸入電壓超過1V時,脈寬將隨之變窄。當(dāng)9腳輸入電壓超過1.4V時,輸出電流中斷,并且 UC3825B 開始軟啟動程序。
利用斜坡 RAMP 腳(7腳)輸入信號, UC3825B 可以實(shí)現(xiàn)電流型控制或常規(guī)的占空比控制。當(dāng)該腳接定時電容器時,UC3825B 可以實(shí)現(xiàn)占空比控制。當(dāng) RAMP 腳接電流取樣電阻時,UC3825B 可以實(shí)現(xiàn)電流型控制。在這種應(yīng)用電路中,初級電流波形經(jīng)過很小的RC濾波網(wǎng)絡(luò)后,產(chǎn)生斜坡波形。RC網(wǎng)絡(luò)的作用是斜率補(bǔ)償。該輸入信號的動態(tài)范圍為1.3V,通常用來產(chǎn)生 PWM 斜率補(bǔ)償。
3.4 同步整流電路
過去低電壓輸出的 DC/DC 開關(guān)變換器采用肖特基二級管作為同步整流管,其正向壓降約為0.4 ~0.65V,低電壓、大電流時通態(tài)功耗很大。因功率MOSFET管的正向壓降很小,所以用功率MOSFET管作為輸出的整流管。與肖特基二極管相比,用功率 MOSFET 管的優(yōu)點(diǎn)除了正向壓降很小外,還有阻斷電壓高,反向電流小等優(yōu)點(diǎn)。圖2所示為輸出全波同步整流電路。功率MOSFET管VT1、VT2為兩個整流管(VD1、VD2分別為VT1、VT2內(nèi)部反并聯(lián)二極管)。當(dāng)變壓器次級繞組同名端為正時,VT2、VD2同時導(dǎo)通,VT1、VD1阻斷 ,在L1續(xù)流期間,VT1、VT2截止,VD1、VD2同時導(dǎo)通續(xù)流;反之,當(dāng)變壓器次級繞組同名端為負(fù)時,VT1、VD1同時導(dǎo)通,VT2、VD2阻斷,在 L1續(xù)流期間,VT1、VT2截止,VD1、VD2同時導(dǎo)通續(xù)流。
采取此功率 MOSFET 管整流電路,可以大大提高整流效率。輸出+5V/20A,采取導(dǎo)通電阻10mΩ的功率 MOSFET 管,則導(dǎo)通損耗為:
PON=10mΩ×(20A)2=4×103mW=4w
如果采取肖特基二極管整流電路,肖特基二極管的導(dǎo)通壓降取0.6V,則導(dǎo)通損耗為:
PON=0.6V×20A=12w
可見僅整流管損耗就減小8W,效率約能提高6%。
3.5 變壓器的制造
初級繞組 N2與次級繞組 N4之間具有較緊密的耦合;而初級繞組 N1到初級繞組 N2之間的耦合不很嚴(yán)格。
3.6 高頻設(shè)計(jì)
需要特別注意外部導(dǎo)體和元件的布置,減小不必要的電感和電容影響。所有的導(dǎo)線長度必須盡可能地短。印制電路板應(yīng)仔細(xì)地布置元件及其連接。功率 MOSFET 管柵極的電阻應(yīng)選碳成分的電阻,以降低串聯(lián)電感。
4 結(jié)論
利用高頻電流型 PWM 控制器 UC3825B 研制的100W、1MHz 電流型 DC/DC 變換器在設(shè)計(jì)上完全滿足指標(biāo)要求;并且,由于采用功率 MOSFET 管全波同步整流電路,使效率高達(dá)86%;這也表明電流型控制具有許多優(yōu)勢。
參考文獻(xiàn)
1 葉惠貞等.新穎開關(guān)穩(wěn)壓電源.北京:國防工業(yè)出版社,1999
2 王鴻麟等.現(xiàn)代通信電源.北京:人民郵電出版社,1998
3 張占松等.開關(guān)電源的原理與設(shè)計(jì).北京:電子工業(yè)出版社,1999