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[導(dǎo)讀]中心議題: DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源的低壓?jiǎn)?dòng)電路設(shè)計(jì)解決方案: DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源的主振蕩器的設(shè)計(jì) DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源的輔助振蕩器的設(shè)計(jì) 各種便攜式電子產(chǎn)品, 如照相機(jī)、攝像機(jī)、手機(jī)、筆記本電腦

中心議題:

  • DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源低壓啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)

解決方案:

  • DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源的主振蕩器的設(shè)計(jì)
  • DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源的輔助振蕩器的設(shè)計(jì)


各種便攜式電子產(chǎn)品, 如照相機(jī)、攝像機(jī)、手機(jī)、筆記本電腦、多媒體播放器等都需要DC-DC 變換器等電源管理芯片。這類便攜式設(shè)備一般使用電池供電, 總能量有限, 因此, 電源芯片需要最大限度地降低工作電壓,延長(zhǎng)電池的使用壽命。傳統(tǒng)DC-DC 的工作電壓一般都在1. 0 V 以上, 本文設(shè)計(jì)了一種DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源的低壓啟動(dòng)電路, 啟動(dòng)電壓降低至0. 8 V,該電路采用兩個(gè)在不同電源電壓范圍內(nèi)工作頻率較穩(wěn)定的振蕩器電路, 利用電壓檢測(cè)模塊進(jìn)行合理的切換, 解決了低輸入電壓下電路無(wú)法正常工作的問(wèn)題, 并在0. 5μm CMOS 工藝庫(kù)( VthN = 0. 72 V, VthP = -0. 97 V) 下仿真。仿真結(jié)果表明, 在0. 8 V 低輸入電壓時(shí), 通過(guò)此升壓型開(kāi)關(guān)電源, 可以將VDD升高至3. 3 V。

1   電路整體示意圖

DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源在低輸入電壓下工作, 利用控制電路導(dǎo)通和關(guān)斷功率管, 在功率管導(dǎo)通時(shí), 電感儲(chǔ)存能量; 當(dāng)功率管關(guān)斷時(shí), 電感釋放能量, 對(duì)輸出電容充電, 輸出電壓升高。當(dāng)輸入電源低至1. 0 V 以下, 如果DC-DC 芯片的驅(qū)動(dòng)電壓取自輸入電源, 芯片內(nèi)部電路就不能正常工作, DC-DC 便無(wú)法啟動(dòng); 如果DC-DC 芯片的驅(qū)動(dòng)電壓取自輸出電壓, 同樣, 芯片根本無(wú)法啟動(dòng)及進(jìn)行任何升壓動(dòng)作。本文針對(duì)輸入電源電壓變化范圍較大, 在考慮商業(yè)成本的情況下, 設(shè)計(jì)了2 個(gè)振蕩器電路:主振蕩器和輔助振蕩器。輔助振蕩器靠輸入電壓供電,0. 8 V 即能起振, 在V DD升至1. 9 V 以前控制功率管的導(dǎo)通與關(guān)斷, 使V DD逐步抬升。主振蕩器靠輸出電壓即VDD供電, 在VDD升至1. 9 V 以后以一個(gè)較穩(wěn)定的頻率工作, 抬升并維持輸出電壓。電路的整體示意圖如圖1所示。該電路包括主振蕩器、輔助振蕩器以及它們的切換電路、帶隙基準(zhǔn)電路、PWM 比較器、過(guò)壓保護(hù)電路、過(guò)流保護(hù)電路等。


圖1   DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源芯片的整體示意圖

2   主振蕩器的設(shè)計(jì)

本文所設(shè)計(jì)的主振蕩器采用如圖2 所示的環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu)。VC1, VC2 分別為過(guò)壓保護(hù)電路, PWM 比較器的輸出信號(hào), MP10和MP11 為帶隙基準(zhǔn)提供的鏡像電流, 合理的控制鏡像電流和電容C1 , C2 的大小, 即能夠使主振蕩器在1. 9~ 8 V 的V DD區(qū)間輸出350 kHz 左右較穩(wěn)定的振蕩頻率。


圖2  主振蕩器電路

3   輔助振蕩器的設(shè)計(jì)

輔助振蕩器電路采用環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu), 它利用亞閾值導(dǎo)通的原理, 使得起振電壓降至0. 8 V, 但是這個(gè)輔助振蕩器在0. 8~ 1. 9 V 的VDD區(qū)間里頻率變化很大, 會(huì)在電路啟動(dòng)階段造成很大的浪涌電流, 造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定。

設(shè)計(jì)的輔助振蕩器克服了以上缺點(diǎn), 既保證了在0. 8 V 起振, 又避免了振蕩頻率變化過(guò)大, 但是, 在輔助振蕩器關(guān)斷之后由于工藝偏差可能會(huì)在R, S端出現(xiàn)不確定狀態(tài), 導(dǎo)致功耗過(guò)大, 并造成后續(xù)電路不能正常工作。本文在此基礎(chǔ)上加以改進(jìn), 增加M17 管, M18管, 所設(shè)計(jì)的輔助振蕩器如圖3 所示。


圖3   輔助振蕩器電路

圖3 中, M1~ M13 是低輸入電壓偏置電流電路, 這個(gè)電路的主要功能是在低輸入電壓下產(chǎn)生一個(gè)恒定的納安級(jí)的偏置電流。這一不隨電源電壓變化的偏置電流將為圖3 所示的輔助振蕩器提供偏置。M8 ~ M13為啟動(dòng)電路, M3 , M4 都工作在亞閾值區(qū):

聯(lián)立式(1) ~ 式(4),可以得到:

式中: K = (W/ L ) M4 / ( W/ L ) M3 ,通過(guò)式(5) 可以發(fā)現(xiàn),偏置電流I M1 , I M2與輸入電源無(wú)關(guān)。

恒流源I I 和I 4 對(duì)電容C1 充放電, 該振蕩器的核心模塊是兩個(gè)比較器, M21 , M22 組成COMP1, 該比較器閾值較高, 為M22 管的導(dǎo)通閾值, 記為V H = V th。M22 ,M23 , M24 , M25 , M26 , R2 組成COMP2, 該比較器閾值較低, 記為VL :

因?yàn)镸26管的電流很小, 寬長(zhǎng)比很大, 故:

SE 為輔助振蕩器切換信號(hào), SEB 為SE 的反信號(hào)。當(dāng)V DD低于1. 9 V 時(shí), SE 為高電平, M17 , M18 都截止, 不影響R, S 觸發(fā)器的翻轉(zhuǎn), 輔助振蕩器工作, 開(kāi)關(guān)S1 斷開(kāi), S2 閉合; 當(dāng)VDD 高于1. 9 V 時(shí), SE 為低電平, 輔助振蕩器關(guān)斷, 開(kāi)關(guān)S1 閉合, S2 斷開(kāi), M17 , M18 都導(dǎo)通, R=1, S= 0, AU XCLK 被鎖定為高電平, 既減小了功耗, 也避免了輔助振蕩器關(guān)斷之后R, S 端出現(xiàn)不確定狀態(tài)。

4   電路整體仿真結(jié)果與分析

整體電路在0. 5μm CMOS 工藝庫(kù)( V thN= 0. 72 V,VthP = - 0. 97 V) 下仿真, 仿真條件為VIN = 0. 8 V, 仿真結(jié)果如圖4 所示。


圖4   兩個(gè)振蕩器的切換

從圖4 可以看出, 電路啟動(dòng)后, 首先輔助振蕩器V( aux clk) 起振, V DD逐漸升高, 升高至1. 4 V 時(shí), 主振蕩器V( mainclk) 起振, 但此時(shí)只有輔助振蕩信號(hào)通過(guò)開(kāi)關(guān)S2 傳到功率管的柵極, 當(dāng)VDD升高至1. 9 V 時(shí), 輔助振蕩器關(guān)掉, 主振蕩器信號(hào)通過(guò)開(kāi)關(guān)S1 傳到功率管的柵極, VDD繼續(xù)升高至設(shè)定的輸出電壓3. 3 V 以后,由反饋電路控制主振蕩器的開(kāi)啟與關(guān)斷, 來(lái)維持這一輸出電壓。

5   結(jié) 語(yǔ)

本文針對(duì)輸入電源電壓變化范圍較大, 設(shè)計(jì)了兩種結(jié)構(gòu)不同的振蕩器, 其在在不同電源電壓范圍內(nèi)工作的頻率較穩(wěn)定, 并利用電壓檢測(cè)模塊進(jìn)行合理的切換, 解決了低輸入電壓下電路無(wú)法啟動(dòng)的問(wèn)題, 是一款適用于商業(yè)開(kāi)發(fā)的DC-DC 升壓型開(kāi)關(guān)電源

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