起直流穩(wěn)壓(流)電子負(fù)載核心作用的功率MOSFET

設(shè)計人員都用直流電子負(fù)載來測試電源，如太陽能陣列或電池，但商用直流電子負(fù)載很昂貴。你只要將功率MOSFET在其線性區(qū)內(nèi)使用，就可制作出自己的直流電子負(fù)載（圖 1）。該負(fù)載采用兩個簡單的反饋回路。MOSFET用作一個穩(wěn)流模式下的電流源或穩(wěn)壓模式下的電壓源。設(shè)計師在描述電壓源的特性時都使用穩(wěn)流模式，因為在穩(wěn)流模式下，電源必須提供電子負(fù)載中設(shè)定的電流值。設(shè)計師都將穩(wěn)壓模式與電流源一起使用，因為穩(wěn)壓模式會迫使電源在負(fù)載設(shè)定的電壓下工作。

　　在電流模式下，R_SHUNT檢測I_LOAD，檢測得到的電壓反饋

給運算放大器 IC_1A的反相輸入端。由于運算放大器的直流增益在線性反饋工作區(qū)內(nèi)很高，反相輸入端保持與非反相輸入端相等，即相當(dāng)于VIREF。放大器產(chǎn)生自己的輸出值，以使 MOSFET Q₂和Q₃工作于線性區(qū)，因而會消耗電源的功率。源極電流值與電流環(huán)基準(zhǔn) V_IREF成正比，即I_LOAD=V_IREF/R_SHUNT?？衫靡粋€連接到穩(wěn)定電壓基準(zhǔn)上的電阻分壓器設(shè)定 V_IREF，或者使用來自一個基于PC的I/O卡的D/A轉(zhuǎn)換器輸出，以實現(xiàn)靈活的配置。
　　電壓工作模式的情況與電流模式相同，只不過檢測的變量是輸出電壓，這一輸出電壓是經(jīng)過分壓器R_A/R_B衰減的，所以電子負(fù)載的工作電壓比運放電源電壓高。檢測出的電壓被反饋到 IC_1B的非反相輸入端，MOSFET 再次工作在線性區(qū)。負(fù)載電壓V_LOAD=V_VREF×(R_A+R_B)/R_B。

　　CA3240型雙運放IC₁可以在輸入電壓低于負(fù)電源電壓的情況下工作，這對單電源供電非常有用，然而，如果你有對稱電源，那就可以采用任何運放。繼電器 K₁通過一根驅(qū)動Q₁的數(shù)字控制線來切換工作模式。MOSFET 是至關(guān)重要的；你可以增加這個并聯(lián)使用的IRF150器件，以提高電流承受能力，因為IRF150具有正的溫度系數(shù)，從而可均衡流過兩只并聯(lián) MOSFET的電流。由于電路中使用兩只 MOSFET，電子負(fù)載可承受10A 電流，功耗大于 100W，所以使用一只散熱器和小風(fēng)扇是個好主意。
　　本電路適用于描述有兩種電源模式的光伏電池模塊的特性。采用本電路和基于PC的設(shè)置時，Helios技術(shù)公司（www.heliostechnology.com）的一個光伏電池模塊的I-V特性曲線表明有一個區(qū)在VMPP（最高點的電壓）以上，在VMPP這一電壓下，陡峭的過渡與一個電壓源相對應(yīng)（圖2）。在低于 VMPP 的電壓下，光伏電池模塊猶如一個電流源。一般情況下，用一個簡單的電流模式電子負(fù)載描述I-V 特性曲線這一平坦區(qū)的特性是很困難的，因為電壓輸出對電流的微小變化很敏感，因此，恒定電壓模式負(fù)載就是一種較好的選擇。