VMOS管優(yōu)質(zhì)功放電路

所示o本電路的特點(diǎn)是由兩級(jí)差放電路，由第二級(jí)差放直接推動(dòng)功放
輸出級(jí)。
    VTi,VT2構(gòu)成差分輸入級(jí)，由結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管VT3將柵一源極短接作為恒流源，由
RPi調(diào)節(jié)恒流源電流在工．0—1.2mA(即每管0.5～0.6mA)。
    VT4、VTs構(gòu)成第二級(jí)差放兼推動(dòng)電路。R1l、Rl2為VT、VTs的集電極負(fù)載電阻，
其阻值大小應(yīng)使在其上的電壓降小于輸出管rr7 -VT8的閾值電壓o VT6的作用是使
    V nrJ～^，日。p●0q，V斗^1：，呵
VT4和VTs的工作狀態(tài)盡量接近平衡。
    VT4、VTs的發(fā)射極所接的穩(wěn)壓管VDi是起箝位作用的，它的穩(wěn)壓值由前級(jí)差分管
的集電極負(fù)載電阻R3.R上的電壓降來確定，本電路選用6V。
    Vr7、VT8為束級(jí)功放輸出管，采用V-MOS場(chǎng)效應(yīng)管。由于V-MOS管的GS極間
耐壓一般只有30～40V，所以加裝穩(wěn)壓管Ⅵ旺、Ⅵ晚以保護(hù)其工作的安全。其穩(wěn)壓管的穩(wěn)
壓值應(yīng)小于Vr7、VT8的柵一源耐壓值，一般選10～12V即可o
    R13.R14為抑制輸出管的高頻自激而設(shè)．可取數(shù)十klCl到lOOklrr，本電路取33kr2。
    Ris～R17及C4.c5組成大環(huán)路負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)，電路的閉環(huán)增益由尺16/ R17的比值決定