單向可控硅無(wú)級(jí)調(diào)光器

220V交流電通過(guò)燈泡H經(jīng)VD1—VD4橋式整流，輸出一全波脈動(dòng)電壓加在可控硅vs
的陽(yáng)極與陰極之間，為可控硅提供開(kāi)通所需的正向陽(yáng)極電壓。此脈動(dòng)電壓又經(jīng)R1降壓、VD5
剖波得到14～17V的梯形被電壓，此電壓加到由單結(jié)晶體管V'r2所組成的觸發(fā)電路上，當(dāng)
梯形波電壓每次下降至霉而開(kāi)始上升時(shí)，電源通過(guò)電阻RP、R6向電容C充電，使電容C
兩端電壓不斷升高，當(dāng)升至Y12的導(dǎo)通電壓時(shí)，VT2導(dǎo)通，C就通過(guò)VT2向電阻R5放電，
在R5兩端即在三極管VT1的基極上得到一正向尖端脈沖，VT1迅速導(dǎo)通，就向可控硅vs
的門(mén)極注入正向觸發(fā)電壓，迫使可控硅vs開(kāi)通。在vs開(kāi)通期間因vs的壓降很小，梯形
波電壓就幾乎下降為零。當(dāng)交流電過(guò)零時(shí)，可控硅vs關(guān)斷，梯形波電壓又從零開(kāi)始上升，
電容C又重新開(kāi)始充電，電路重復(fù)上述過(guò)程。調(diào)節(jié)電位器RP，可改變電容C充電時(shí)間快慢。
當(dāng)RP阻值較小時(shí)，在梯形波一個(gè)周期里（即交流電的半個(gè)周期），電容C兩端電壓較先達(dá)
到VT2的導(dǎo)通電壓，所咀可控硅vs的導(dǎo)通角較大，流過(guò)燈泡H的平均電流大，燈泡亮度
就較大；如RP的阻值調(diào)得較大，因充電時(shí)間常數(shù)較大，在梯形波的一個(gè)周期里，電容C兩
端電壓較后到達(dá)VT2的導(dǎo)通電壓，所咀可控硅vs的導(dǎo)通角就小，流過(guò)燈泡的平均電流較
小，所以發(fā)光亮度也就較暗+因此通過(guò)調(diào)節(jié)電位器RP就可以達(dá)到改變燈泡H亮度的目的。