IR2110應(yīng)用的典型連接圖

IR 2110的典型應(yīng)用連接見圖12-37。通常，它的輸出級的
工作電源是一懸浮電源，這是通過一種自舉技術(shù)由固定的電源得
來的。充電二極管VD的耐壓能力必須大于高壓母線的峰值電壓，
為了減小功耗，推薦采用一個(gè)快恢復(fù)的二極管。自舉電容C的值
依賴于開關(guān)頻率，占空比和功率MOSFET或IGBT柵極的充電
需要，應(yīng)注意的是電容兩端耐壓不允許低于欠電壓封鎖臨界值，否
則將產(chǎn)生保護(hù)性關(guān)斷。對于5kHz以上的開關(guān)應(yīng)用，通常采用
。．1f/F的電容是合適的。
    (z)為了向需開關(guān)的容性負(fù)載提供瞬態(tài)電流，應(yīng)用中應(yīng)在vcc
和COM間、VDD和y鵝間連接兩個(gè)旁路電容，這兩個(gè)電容及VB和
Vs間的儲能電容都要與器件就近連接。建議Vcc上的旁路電容用
一個(gè)n 1VF的陶瓷電容和一個(gè)iFeF的鉭電容并聯(lián)，而邏輯電源
V∞上有一個(gè)o_ ipiF的陶瓷電容就足夠了。
    (3)大電流的MOSFET或IGBT相對需要較大的柵極驅(qū)動(dòng)
能力，IR 2110的輸出即使對這些器件也可進(jìn)行快速的驅(qū)動(dòng)。為了
盡量減小柵極驅(qū)動(dòng)電路中的電感，每個(gè)MOSFET應(yīng)分別連接到
JR 2110的2腳和5腳作為柵極驅(qū)動(dòng)信號的反饋。對于較小功率的
MOSFET或IGBT可在輸出處串一個(gè)柵極電阻，柵極電阻的值依
賴于電磁兼容(EMI)的需要、開關(guān)損耗及最大允許dvldt值。