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[導(dǎo)讀]在復(fù)雜的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中,功耗收斂和電路功耗完整性變得日益重要。整個(gè)設(shè)計(jì)流程必須貫穿應(yīng)用各種有功耗意識(shí)的工具以獲得最佳性能。 隨著通過電池供電的便攜式電子系

在復(fù)雜的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中,功耗收斂和電路功耗完整性變得日益重要。整個(gè)設(shè)計(jì)流程必須貫穿應(yīng)用各種有功耗意識(shí)的工具以獲得最佳性能。

隨著通過電池供電的便攜式電子系統(tǒng)的應(yīng)用范圍持續(xù)增長,推動(dòng)了對某類數(shù)字集成電路(ICs)的需求,這類電路的特點(diǎn)是功耗消耗保持在盡可能低的水平。與此同時(shí),設(shè)計(jì)師們必須在最小的封裝體積中,將更多的高頻功能封裝到芯片內(nèi)。毫無疑問,越來越多的性能和單元數(shù)量將導(dǎo)致功耗的增加,使得功耗管理成為影響硅片成功的重要因素。

圖1 功率分布考慮包括總功耗、電壓降和電遷移效應(yīng)


創(chuàng)建最理想的低功耗設(shè)計(jì),無論是動(dòng)態(tài)功耗還是靜態(tài)功耗,都涉及到了在設(shè)計(jì)流程不同階段時(shí)序、功耗和面積間復(fù)雜的折衷權(quán)衡問題。這些問題相互間聯(lián)系密切,所以低功耗分析和優(yōu)化引擎必須可與整個(gè)RTL-to-GDSII流程相集成并可貫穿應(yīng)用于這一流程中。

動(dòng)態(tài)功耗(Dynamic Power)

動(dòng)態(tài)功耗的降低雖然可通過調(diào)整電容、電壓和頻率來實(shí)現(xiàn),但其中仍有些細(xì)微部分需多加考慮。

例如:同一門極電路中兩個(gè)晶體管同時(shí)被導(dǎo)通的總時(shí)長是晶體管輸入開關(guān)閾值和門極驅(qū)動(dòng)輸入信號斜率的一個(gè)函數(shù)。這些晶體管尺寸必須要足夠大,這樣信號才能足夠迅速地進(jìn)行轉(zhuǎn)換以便激活門極電路。

如果晶體管尺寸過大,通過最大程度縮短兩個(gè)晶體管同時(shí)打開的時(shí)間來實(shí)現(xiàn)功率節(jié)省的目標(biāo)就無法達(dá)成,因?yàn)榫w管過大會(huì)導(dǎo)致電容的增加,門極電路為增加的電容充電會(huì)消耗額外的功率,這最終會(huì)導(dǎo)致噪聲、過沖、下沖以及串?dāng)_等信號完整性問題。

同樣地,如果這些晶體管尺寸過小,那么它們同時(shí)打開時(shí)間會(huì)更長、功耗更大,而且驅(qū)動(dòng)不足的信號也容易受到噪聲和串?dāng)_耦和效應(yīng)的影響,因此晶體管尺寸和開關(guān)時(shí)間必須加以優(yōu)化,這樣才能將功耗降至最低。

降低動(dòng)態(tài)功耗的另一種方法是降低系統(tǒng)時(shí)鐘的頻率,但這樣會(huì)導(dǎo)致器件性能的降低;或者還可以使用門控時(shí)鐘,使得僅僅那些這一時(shí)刻需要執(zhí)行有效任務(wù)的器件被時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)。當(dāng)然,我們也可以通過應(yīng)用適當(dāng)?shù)臅r(shí)延平衡來將局部數(shù)據(jù)活動(dòng)(毛刺和冒險(xiǎn)現(xiàn)象)減至最少。

此外,我們還可以通過架構(gòu)的折衷權(quán)衡來降低功耗,即在設(shè)計(jì)流程的算法和架構(gòu)階段進(jìn)行功能并行與頻率和/或電壓之間的折衷權(quán)衡。例如:您可用兩個(gè)模塊副本來替換原來的一個(gè)邏輯模塊,兩個(gè)模塊各執(zhí)行一半的任務(wù),這樣兩個(gè)模塊都將擁有更低的運(yùn)行頻率和電壓。如此一來就可在保持性能不變的同時(shí)降低實(shí)現(xiàn)該功能的總功耗,不過同時(shí)也會(huì)占用更多的硅片空間。

靜態(tài)功耗(Static Power)

靜態(tài)功耗源自于晶體管未激活時(shí)漏電流,與溫度和開關(guān)閾值成指數(shù)關(guān)系。為了解決這個(gè)問題,IC代工廠提供了具備多閾值電壓(Vt)器件的庫,其中開關(guān)較快的低閾值晶體管漏電流較高、功耗較大;而開關(guān)較慢的高閾值晶體管漏電流較低、功耗較小。

這其中需要進(jìn)行復(fù)雜的平衡工作,因?yàn)榻档凸╇婋妷菏强梢詼p少發(fā)熱量,降低靜態(tài)功耗,但同時(shí)也會(huì)增加門時(shí)延;而降低晶體管的開關(guān)閾值則可以加快晶體管開關(guān)速度,但同時(shí)會(huì)導(dǎo)致漏電流和靜態(tài)功耗呈指數(shù)極增加。

電壓降效應(yīng)(Voltage Drop Effects)

深亞微米(DSM)器件也屬于易受電壓降效應(yīng)影響的器件,電壓降效應(yīng)主要由外部引腳到內(nèi)部電路的電源和地線網(wǎng)絡(luò)的電阻所引起。

由于每段電源和接地軌都有一小段電阻,因此反相器鏈中距離主電源和地線引腳最近的邏輯門,其供電電壓就最好(圖2中G1);相鄰的第2個(gè)門極(本例中G2)的供電電壓則相應(yīng)稍差一些;依此類推,距離主電源和地線引腳越遠(yuǎn)的門極其供電電壓就越差。

圖2 與同一電源和地軌相連的反相器鏈


當(dāng)存在瞬態(tài)或AC(交流電)電壓降效應(yīng)時(shí),這一問題還將進(jìn)一步惡化,當(dāng)有大量寄存器元件同時(shí)開關(guān),可能會(huì)在供電網(wǎng)產(chǎn)生嚴(yán)重的“毛刺”現(xiàn)象。要想分析并解決這些電壓降效應(yīng),電阻、電感、電容效應(yīng)都是必須要考慮到的問題。

電壓降效應(yīng)之所以如此重要,原因在于整個(gè)邏輯門的輸入到輸出時(shí)延會(huì)隨著供電電壓的降低而增加,最終可能導(dǎo)致該邏輯門不符合其時(shí)序規(guī)格。同時(shí)門極驅(qū)動(dòng)不足時(shí)也會(huì)引起互連線時(shí)延的增加,供應(yīng)電壓下降時(shí)門極的輸入開關(guān)閾值將會(huì)改變,由此會(huì)導(dǎo)致門極電路變得更容易受到噪聲的影響。

隨著軌道寬度的降低,電壓降效應(yīng)將隨著電源和地軌電阻系數(shù)的增加而變得更為嚴(yán)重。雖然可以通過增加電源和接地軌寬度來將電壓降效應(yīng)降至最低,但是這同時(shí)也會(huì)占用到寶貴的硅片空間,最終導(dǎo)致布線擁塞問題。而要解決這些問題就必須盡可能大地拉開所有邏輯單元間的間距,但這樣卻又會(huì)由于信號連線長度的增加而導(dǎo)致時(shí)延(和功耗)的增加。

在芯片總功耗中,時(shí)鐘樹網(wǎng)絡(luò)的功耗占據(jù)了很大一部分。將功耗作為一個(gè)成本函數(shù)來考慮,控制時(shí)鐘樹功耗越來越重要,特別是在較小型幾何拓?fù)洵h(huán)境中更是如此。目前已有各種不同技術(shù)可被廣泛應(yīng)用于RT L綜合和物理綜合中,如:廣泛的時(shí)鐘門控覆蓋、時(shí)鐘門控電路的克隆/反克隆、有功率意識(shí)的緩沖器插入、尺寸調(diào)整和時(shí)鐘門控電路布局。此外,如CTS期間多閾值電壓(Vt)、層次化時(shí)鐘門控、基于邏輯行為的時(shí)鐘門控等其他技術(shù)也可以提供額外的功率節(jié)省。

其中,有一項(xiàng)已得到日漸普遍使用的技術(shù)是將設(shè)計(jì)分為多個(gè)“電壓島”,如圖3所示。雖然供電電壓更低的電壓島性能也隨之降低,但其動(dòng)態(tài)功耗也將大幅降低。

圖3 各類的多電壓域(multi-Vdd)設(shè)計(jì)


在將設(shè)計(jì)分成多個(gè)電壓島時(shí),網(wǎng)表中必須要插入適當(dāng)?shù)碾妷恨D(zhuǎn)換元件來從一個(gè)電壓域到另一個(gè)電壓域連接信號。一個(gè)真正有功率意識(shí)的設(shè)計(jì)環(huán)境應(yīng)該能夠自動(dòng)插入這些單元。

功率門控(Power gating)

功率門控通過有選擇地切斷設(shè)計(jì)中未在使用部分的電源來解決泄漏問題,如圖4所示。它是利用高閾值電壓(high-Vt)開關(guān)來連接全局恒定電源線軌與局域開關(guān)電源線軌,這就使得局域線軌的供電能根據(jù)需要開啟或者關(guān)閉,提供了細(xì)粒度、中粒度和粗粒度控制能力。

 圖4 分布式多閾值CMOS(MTCMOS)


其他技術(shù)則均得益于具有“功率意識(shí)”,例如:映射、利用非關(guān)鍵時(shí)序路徑的多閾值晶體管、平面規(guī)劃和布局、解耦電容布局、時(shí)鐘樹綜合和時(shí)鐘門控,以及時(shí)序優(yōu)化。

總之,功率分布網(wǎng)絡(luò)應(yīng)基于早期功率網(wǎng)格還沒有完成時(shí)執(zhí)行的線軌分析結(jié)果進(jìn)行設(shè)計(jì)。芯片上正確的消耗元件分布應(yīng)避免熱點(diǎn)和局部電壓降問題,線寬算法能夠有效解決電壓降和電遷移問題。

集成的工具套件

目前,第三方單點(diǎn)工具要么需要使用到多個(gè)數(shù)據(jù)庫,要么需要將完全不同的數(shù)據(jù)模型組合進(jìn)一個(gè)數(shù)據(jù)庫中,不僅需要執(zhí)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和文件傳輸,同時(shí)也使得數(shù)據(jù)管理工作變得相當(dāng)煩瑣、耗時(shí)且容易出錯(cuò)。

然而,最嚴(yán)重的問題還在于,其布局后再修正缺陷的做法代價(jià)極為昂貴,特別在修正工作必須手工進(jìn)行時(shí)就更是如此。如果在手工修正之后必須返回重新進(jìn)行分析工作(而不是與修正工作同時(shí)進(jìn)行),那么情況將會(huì)進(jìn)一步惡化,因?yàn)榉治龊罂赡茱@示出修正工作要么未起到應(yīng)有的作用,要么可能給設(shè)計(jì)工作帶來了新的、不一樣的缺陷。

例如:要想完全計(jì)算出電壓降效應(yīng)的影響,首先重要的是要擁有一個(gè)能基于實(shí)際電壓降以單元為基礎(chǔ)地進(jìn)行時(shí)序衰減計(jì)算的環(huán)境;接著,時(shí)序分析引擎應(yīng)利用這種衰減后時(shí)序數(shù)據(jù)來識(shí)別關(guān)鍵路徑上的潛在變化;最后,優(yōu)化引擎應(yīng)進(jìn)行適當(dāng)?shù)男拚齺斫鉀Q由于時(shí)序變化而導(dǎo)致的潛在的建立或保持問題。

而這就需要有一個(gè)能夠確保功率分析、電壓降分析、衰減計(jì)算、時(shí)序分析和優(yōu)化引擎可無縫協(xié)作的設(shè)計(jì)環(huán)境。

功率分析單點(diǎn)工具與環(huán)境的其他部分之間集成性的缺乏意味著當(dāng)功率分析結(jié)果用于定位和隔離時(shí)序和/或信號完整性問題時(shí),修正問題的同時(shí)也將給功率網(wǎng)絡(luò)引入新的問題,最終可能導(dǎo)致大量、耗時(shí)的設(shè)計(jì)迭代。

一個(gè)真正的低功耗設(shè)計(jì)環(huán)境應(yīng)具備讓所有的功率分析工具與綜合、布局布線、時(shí)鐘樹綜合、提取、時(shí)序和信號完整性分析等實(shí)施工具同時(shí)運(yùn)行的特性,要能夠使用統(tǒng)一數(shù)據(jù)模型來為這些工具提供對分析數(shù)據(jù)的同步訪問并實(shí)現(xiàn)對設(shè)計(jì)的“實(shí)時(shí)”變更。

結(jié)束語

要想完全優(yōu)化低功耗設(shè)計(jì),功率分析工具必須彼此間完全集成,同時(shí)還要能與流程中的其他實(shí)施和分析引擎相集成,包括綜合、布局布線、電壓降衰減、時(shí)序、優(yōu)化和信號完整性分析引擎。

這樣的架構(gòu)使得所有實(shí)施和分析引擎都能夠通過統(tǒng)一數(shù)據(jù)模型同時(shí)訪問到設(shè)計(jì)數(shù)據(jù),而且通過一個(gè)工具所做出的任意變更可立即得到其他工具的測試和驗(yàn)證。從而最終形成一種收斂算法,無須采用耗時(shí)的迭代即可快速確定最佳解決方案。

發(fā)布者:博子

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