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[導(dǎo)讀]美光科技有限公司今天宣布,美光的32Gb、34納米NAND閃存和1Gb、50納米DRAM創(chuàng)新技術(shù)獲得Semiconductor Insights公司(簡稱SI公司)認(rèn)可,進(jìn)入SI第八屆Insight 年度大獎的最終

美光科技有限公司今天宣布,美光的32Gb、34納米NAND閃存和1Gb、50納米DRAM創(chuàng)新技術(shù)獲得Semiconductor Insights公司(簡稱SI公司)認(rèn)可,進(jìn)入SI第八屆Insight 年度大獎的最終評選。

美光的32Gb、34納米NAND芯片由英特爾和美光合作開發(fā),并由雙方組建的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies公司制造。這款晶片進(jìn)入“最具創(chuàng)新性工藝技術(shù)”和“最具創(chuàng)新性非揮發(fā)性存儲器”兩類獎項(xiàng)的最終評選。SI公司表示,這款 32Gb、34納米芯片是業(yè)界迄今為止密度最高的單片多層單元(MLC)NAND閃存芯片。有了這塊高密度的小巧芯片,客戶能夠很方便地?cái)U(kuò)大一系列消費(fèi)和計(jì)算產(chǎn)品的NAND存儲容量。

美光的1Gb、50納米DDR2芯片由美光公司與南亞科技股份有限公司通過DRAM聯(lián)合開發(fā)項(xiàng)目共同開發(fā),這款晶片進(jìn)入“最具創(chuàng)新性DRAM”獎項(xiàng)的最終評選。這款1Gb、50納米DDR2芯片面積僅有41mm²,可為客戶提供目前市場上最小的DRAM晶片尺寸。分析了這款產(chǎn)品之后,SI公司表示,該產(chǎn)品所采用的DRAM工藝技術(shù)是他們迄今分析過的同類最先進(jìn)技術(shù)。

美光公司內(nèi)存事業(yè)部副總裁Brian Shirley說,“能獲得Semiconductor Insights公司的認(rèn)可,進(jìn)入他們的Insight大獎的最終評選,我們感到很榮幸。美光公司用頂尖的NAND和DRAM設(shè)計(jì)不斷突破技術(shù)的極限,我們將與研發(fā)合作伙伴共同努力,不斷創(chuàng)新,為客戶提供市場上最先進(jìn)的存儲器解決方案。”

Insight大獎表彰那些依靠技術(shù)成就和創(chuàng)新在上年度對半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生影響的公司。Insight大獎包含四個(gè)不同類別的獎項(xiàng),由業(yè)界一流專家組成小組負(fù)責(zé)評選,成員包括:TechInsights Services公司首席技術(shù)官Edward Keyes、Portelligent公司總裁David Carey、TechOnline編輯主任Patrick Mannion以及Semiconductor Insights公司的資深分析師。評審專家將從每一類獎項(xiàng)的獲提名候選者中評選出獲勝者。

Semiconductor Insights公司副總裁兼總經(jīng)理Emil Alexov說,“今年Insight大獎的最后一輪候選產(chǎn)品達(dá)到了我們行業(yè)關(guān)鍵的創(chuàng)新里程碑,這顯示了對技術(shù)突破不斷施以壓力的重要性,這樣做可以更好地推進(jìn)行業(yè)的發(fā)展,同時(shí)為他人定下新的努力方向和標(biāo)準(zhǔn)。”

Insight大獎表彰企業(yè)通過創(chuàng)新設(shè)計(jì)和技術(shù)發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)取得的巨大技術(shù)進(jìn)步,他們改變了我們生活的世界。2009年3月31日,在EE Times ACE獎和Insight獎頒獎禮上將向這些企業(yè)和他們的創(chuàng)新技術(shù)頒獎。此次頒獎禮是TechInsight在硅谷舉行的嵌入式系統(tǒng)大會(Embedded Systems Conference)的活動之一,大會堪稱北美最大規(guī)模的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)盛事。

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