超大容量存儲器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應用（2）———超大容量存儲器K9F2G08

下面是按頁讀操作函數(shù)的C語言代碼。
sbit RdyorBsy=P0^0；
unsigned ch ar xdata * data pK9F；
void PageRead(unsigned int ColAdd，unsigned long
RowAdd，unsigned int len)
{
unsigned int i=0；
unsigned ch ar ColTemp，RowTemp；
ColTemp=(unsigned ch ar)(ColAdd>>8)；
RowTemp=(unsigned ch ar)(RowAdd>>16)；
ColTemp &=0x0F；
RowTemp &=0x01；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x00；
pK9F=0x8001；
* pK9F=(unsigned ch ar)(ColAdd)；
* pK9F=ColTemp；
* pK9F=(unsigned cha r)(RowAdd)；
* pK9F=(unsigned ch ar)(RowAdd>>8)；
* pK9F=RowTemp；
pK9F=0x8002；
* pK9F=0x30；

while(RdyorBsy)；
while(!RdyorBsy)；
pK9F=0x8000；
for(i=0；i
OutputData[i]= * pK9F；
}
3.2 頁編程
向器件寫入數(shù)據時先將數(shù)據寫入數(shù)據寄存器中，器件寫入操作是基于頁進行的，同時允許在一個頁編程周期內對一頁內的連續(xù)部分編程。若不進行擦除，則對同一頁的連續(xù)部分編程不能超過4次。
器件支持在1頁范圍內的隨機數(shù)據輸入，由隨機輸入命令碼85H啟動，如圖6中虛線框內部分所示，在1頁范圍內可以啟動任意多次隨機輸入操作。數(shù)據輸入完畢后，寫入頁編程確認命令10H，將數(shù)據寄存器中的內容寫入存儲區(qū)。寫入完成后，需要讀狀態(tài)寄存器(通過寫入70H實現(xiàn))判斷操作是否成功。若未能成功寫入，應將當前塊聲明為壞塊，并進行塊數(shù)據替換操作，以保證整個系統(tǒng)的可靠性。
此外應注意，同一塊內頁編程時必須從地址最低的頁開始向高地址的頁依次編程，頁地址隨機的頁編程是被禁止的。
下面是頁編程子函數(shù)的C語言代碼。

unsigned ch ar PageWrite(unsigned int ColAdd，unsigned long
RowAdd)
{
unsigned int data i=0；
unsigned ch ar data Status=0；
unsigned c har data ColTemp，RowTemp；

ColTemp=(unsigned ch ar)(ColAdd>>8)；
RowTemp=(unsigned c har)(RowAdd>>16)；
ColTemp &=0x0F；
RowTemp &=0x01；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x80；
pK9F=0x8001；
* pK9F=(unsigned cha r)(ColAdd)；
* pK9F=ColTemp；
* pK9F=(unsigned ch ar)(RowAdd)；
* pK9F=(unsigned ch ar)(RowAdd>>8)；
* pK9F=RowTemp；
pK9F=0x8000；
for(i=0；i<2112；i++)
* pK9F=InputData[i]；
pK9F=0x8002；
* pK9F=0x10；

while(RdyorBsy)；
while(!RdyorBsy)；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x70；
pK9F=0x8000；
Status=* pK9F；
Status &=0x01；
return (Status)；
}
3.3 塊擦除
擦除操作以塊為單位進行，由于器件分為2 048塊，因此輸入的地址碼中只有A18~A2的11位有效，其余位將被忽略。通過輸入確認命令碼來啟動擦除以防止誤操作。塊擦除流程如圖7所示。同頁編程操作類似，擦除完畢后也應該讀狀態(tài)寄存器并處理返回結果。

3.4 頁復制
頁復制操作用來快速有效地實現(xiàn)頁間數(shù)據移動，這是由于省去了比較費時的與片外設備之間的讀寫操作。這一特性的優(yōu)勢在塊替換操作用于頁間數(shù)據復制時體現(xiàn)尤為明顯。其實該操作是按頁讀與頁編程操作的復合，頁復制讀命令35H將頁中數(shù)據移至數(shù)據寄存器中，而頁復制寫命令85H將數(shù)據復制到目標頁中。頁復制流程圖如圖8所示。

該操作也可以將原始頁中的數(shù)據修改后寫入目標頁，如流程圖8中虛線框內部分。
需要注意的是，頁復制操作只能在奇數(shù)頁之間或偶數(shù)頁之間進行，奇偶頁之間的數(shù)據移動將被禁止。
3.5 緩存區(qū)編程
芯片中除1頁大小的數(shù)據寄存器外，還有一個1頁大小的緩沖寄存器。該緩沖寄存器可以在數(shù)據寄存器參與頁編程的同時接收外部數(shù)據，等待數(shù)據寄存器空閑時將數(shù)據轉移其中，然后繼續(xù)接收數(shù)據。因此，采用緩存區(qū)編程操作在連續(xù)寫入多頁數(shù)據時將會大大提高效率。
緩存區(qū)編程流程如圖9所示。當?shù)谝唤M數(shù)據寫入緩沖寄存器時，寫入緩存命令15H，將數(shù)據傳遞給數(shù)據寄存器并啟動頁編程，然后使緩沖寄存器空閑，準備接收下一組數(shù)據。在這個過程中芯片將處于忙狀態(tài)，若內部編程操作未完成，忙狀態(tài)持續(xù)的時間將被延長。

需要注意的是，該操作只能在同一塊內進行，因此在多塊數(shù)據寫入時需要注意每塊的最后一頁。若系統(tǒng)僅僅通過芯片的Ready/Busy引腳監(jiān)測編程進度，則最后一頁的寫入操作應該由頁編程命令10H啟動。另外也可以通過讀狀態(tài)寄存器中的I/O 5位來判斷。
K9F2G08U0M 是一種新型的超大容量Flash存儲器，以其非易失、功耗低、操作簡單而在單片嵌入式系統(tǒng)中得到廣泛應用。本文在管道通徑儀的開發(fā)過程中，根據對外部存儲器接口的深入理解，將存儲器芯片的兩個控制線ALE和CLE用作地址線，使得對存儲器的操作更簡捷高效。文中的程序已經過實際驗證，限于篇幅，只給出按頁讀和頁編程部分的代碼。