IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET

IR 推出一系列150V和 HEXFET功率，為模式電源 （） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 （Qg）。

與其它競爭器件相比，IR 150V 提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款 的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。

這些新款MOSFET達到工業(yè)級別及第一級濕度感應(yīng)度 （） 。它們采用、、TO262、和封裝，皆為無鉛設(shè)計，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS） 指令。