IDT72V3680芯片的內部結構介紹

IDT72V3680屬于IDT公司的高密度supersyncTMⅡ36位系列存儲器IDT72V3640～3690中的一種，其存儲結構為16，384×36。這一系列CMOS工藝的FIFO(先入先出)芯片具有極大的深度。

其基本功能特點如下：

對讀/寫口都可進行靈活的總線寬度設置，可選擇不同的輸入/輸出數(shù)據(jù)線寬度(可在36 in 36 out;36 in 18 out;36in 9 out;18 in 36 out;9in 36 out中選擇);

重傳操作延時很低且固定;

首字的寫入到讀出的延時很低且固定;

數(shù)據(jù)密度高達1Mbit;

操作時鐘可達166MHz;

可選大/小字節(jié)排列格式;

主復位方式可提供FIFO整體清零，部分復位只清掉存儲數(shù)據(jù)，但保留可編程設置項;

幾乎空/滿標志置位或無效操作可選擇同步或異步時間模式;

具有兩種時間工作模式，分別為IDT標準模式(采用和標志位)和FWFT首字直傳模式(采用標志位);

讀寫操作采用獨立時鐘，并可異步操作;

采用TQFP(128引腳)和PBGA(144引腳)兩種封裝形式，其中PBGA封裝形式不僅可用JTAG口提供邊界掃描功能，還可選擇同步或者異步讀寫操作(只對PBGA封裝);

與5V輸入兼容;

具有節(jié)電模式;

管腳可與更高密度的芯片IDT72V36100和IDT72V36110兼容。

IDT72V3680的內部結構框圖如圖1所示。