美國技術(shù)機構(gòu)提出兩項可提高芯片速度的技術(shù)
光學(xué)設(shè)備技術(shù)包括制造一種用于讀取硅晶圓的所謂“液體透鏡”。在光學(xué)成分和硅之間加入一個液體層能夠把分辨率從目前的100納米提高到65納米。把液體透鏡概念應(yīng)用到計算機光學(xué)設(shè)備中能夠制作體積更小和速度更快的芯片。
NIST的科學(xué)家在一篇論文中介紹說,使用高純度水作為光學(xué)設(shè)備和硅之間的界面可以顯著減少影響分辨率的光衍射程度。不過,這篇論文的作者警告說,液體透鏡對溫度變化很敏感。溫度變化對采用這項技術(shù)的光學(xué)設(shè)備設(shè)計影響很大。
NIST提高芯片速度的另一項技術(shù)進(jìn)展是提出了一項標(biāo)準(zhǔn),幫助測量儀器測量硅鍺薄膜中鍺含量。鍺既是一種半導(dǎo)體也是一種混合劑,能夠使硅片表面繃緊提高電子通過的速度。鍺的應(yīng)用能夠使芯片的速度提高一倍。
但是,準(zhǔn)確測量混合在硅薄膜中的鍺含量是很困難的。因此NIST制作了一個標(biāo)準(zhǔn)。這個標(biāo)準(zhǔn)包括若干套包含各種不同比例的鍺和硅的薄膜。
NIST解釋說,這個標(biāo)準(zhǔn)是個臨時措置,是政府機構(gòu)與私營企業(yè)的首次合作。
NIST稱,它的標(biāo)準(zhǔn)能夠把硅含量的不確定性從采用目前技術(shù)測量的5%減少到1%。