美國技術機構提出兩項可提高芯片速度的技術

ChinaByte7月30日消息 美國商務部技術局下屬的美國標準與技術研究院(NIST)提出了兩項提高計算機芯片性能的技術。一項是改善芯片光學設備分辨率的技術，另一項是測量用于計算機芯片的硅鍺符合材料比例的標準。

　　光學設備技術包括制造一種用于讀取硅晶圓的所謂“液體透鏡”。在光學成分和硅之間加入一個液體層能夠把分辨率從目前的100納米提高到65納米。把液體透鏡概念應用到計算機光學設備中能夠制作體積更小和速度更快的芯片。

　　NIST的科學家在一篇論文中介紹說，使用高純度水作為光學設備和硅之間的界面可以顯著減少影響分辨率的光衍射程度。不過，這篇論文的作者警告說，液體透鏡對溫度變化很敏感。溫度變化對采用這項技術的光學設備設計影響很大。

　　NIST提高芯片速度的另一項技術進展是提出了一項標準，幫助測量儀器測量硅鍺薄膜中鍺含量。鍺既是一種半導體也是一種混合劑，能夠使硅片表面繃緊提高電子通過的速度。鍺的應用能夠使芯片的速度提高一倍。

　　但是，準確測量混合在硅薄膜中的鍺含量是很困難的。因此NIST制作了一個標準。這個標準包括若干套包含各種不同比例的鍺和硅的薄膜。

　　NIST解釋說，這個標準是個臨時措置，是政府機構與私營企業(yè)的首次合作。

　　NIST稱，它的標準能夠把硅含量的不確定性從采用目前技術測量的5%減少到1%。