英特爾2010年將投資400億美元用于存儲(chǔ)NVS

    據(jù)Electronic News報(bào)道， 英特爾(Intel)的閃存事業(yè)部高管BrianHarrison向外界發(fā)布有關(guān)于該公司未來將如何搶占非易失性存儲(chǔ)器non-volatile存儲(chǔ)（NVS）市場的計(jì)劃； 這個(gè)市場在2006年規(guī)模約為200億美元，預(yù)測到了2010將增長至400億美元。

　　英特爾根據(jù)NVS以91%的年消耗速度增長，再加上手機(jī)、運(yùn)算各領(lǐng)域的應(yīng)用與消耗，該公司對(duì)于搶占這個(gè)市場的目標(biāo)非常有信心。在NOR方面，Harrison強(qiáng)調(diào)英特爾之前已經(jīng)推出六代MLC產(chǎn)品，并且擁有M18系列能與90、65及45奈米node相容。在06年第四季，該公司更推出第一款65奈米1-gigabyteNOR芯片； 這款芯片的推出距離90奈米芯片只有一年。 在NAND方面，英特爾與美光(Micron)在06年7月合資的IMFlashTechnologies公司推出基于50納米制程的4GNAND閃存樣品。

　　展望未來，英特爾非?？春眯滦蛻B(tài)的存儲(chǔ)體phase-changememory(PCM)將具有很高的發(fā)展?jié)摿?，因?yàn)樗婢逺AM、NOR與NAND的優(yōu)點(diǎn)。PCM具有write-over的特性，也就是舊有的資料無需先被刪除就可直接再寫上新的資料。Intel預(yù)定在今年第二季開始提供90納米制程樣品與標(biāo)準(zhǔn)樣品，在今年底之前可能上市。