閃存與控制器結合 美光挑戰(zhàn)SSD技術高峰

在閃存業(yè)務方面若想獲得成功，你需要結合閃存產品和控制器技術，美光表示這兩樣，它都具備。

半導體制造商美光已經一定的閃存基礎，提供SSD和PCIe連接的閃存卡，例如，被EMC VFCache采用的SLCP 320h。另外P320h的熱插拔版本已經被戴爾服務器使用。

美光想要傳達的主要信息是，閃存技術將會變得更加復雜，需要緊密地集成控制器和NAND芯片。美光NAND解決方案副總裁Glenn Hawk表示：“那些精通NAND技術的公司，對于世界領先產品的開發(fā)有很大的優(yōu)勢。”換句話說，你需要了解你的控制器技術的具體閃存細節(jié)，美光最適合發(fā)展閃存，因為它有自己的閃存產品。而其他的競爭者Fusion-io、LSI和OCZ則沒有。

美光憑借自己的NAND技術進軍客戶端和企業(yè)端市場。

在客戶端SSD方面，美光利用SATA接口和例如來自Marvell的第三方控制器，構建了C400入門級系統(tǒng)，并且把目光瞄準了主流和高性能以及入門級部件。它將會在未來的幾個月推出20nm級(29nm-20nm范圍)SATASSD和之后的1Xnm(19-10nm范圍)。入門級產品聚焦于降低成本;而主流和性能部件則注重提升性能。

隨著時間的推移，SATA總線將會變得飽和，PCIe客戶端SSD的一些形式會得到發(fā)展。

在帶有內部控制器的企業(yè)級方面，有P400m SATA產品和P410m SAS產品用于存儲陣列。P400M是一個25nm級產品，現(xiàn)在已經通過了OEM認證。對于美光來說PCIe是很有趣的，通過提供基于主機的管理來限制閃存性能和主機CPU循環(huán)，來提升競爭力。

美光更喜歡基于閃存驅動器的管理，通過使用基于ASIC的控制器提高閃存速度以及釋放主機服務器CPU周期來實現(xiàn)。

據(jù)我們了解在發(fā)展過程中，美光正在開發(fā)MLCPCIe閃存卡。

美光認為，到2015-2016年間我們將看到PCIe和SAS體系架構的融合以及新內存技術的誕生?？梢钥隙ǖ氖牵拦鈱⒗^續(xù)通過使用3DNAND技術，從當前的2Xnm過渡到1Xnm，推動容量和改善每GB成本。

美光也致力于提供一個共享閃存系統(tǒng)。據(jù)Stifel Nicolaus分析師Aaron Rakers稱，這將使用PCIeP320h閃存卡和收購Virtensys獲得的PCIe共享技術。他預計2013年中期能夠看到出貨收入，2013年末看到產品版本。

這樣的產品將會和EMC的Thunder、Violin Memory的網絡閃存陣列和使用Fusion-io的ION數(shù)據(jù)加速技術的系統(tǒng)相競爭。

美光正在告訴世界它將長期經營閃存產品，并且相信它垂直的閃存產品和控制器技術集成賦予了美光一定的必要基礎。Fusion-io、LSI、OCZ、SanDisk和STEC小心，美光正在發(fā)力。

更多嵌入式資訊請關注嵌入式頻道