7nm將成臺(tái)積電力壓英特爾主戰(zhàn)場

安謀(ARM)與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議，針對7奈米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計(jì)解決方案。 這項(xiàng)協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎(chǔ)實(shí)體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。

事實(shí)上，以臺(tái)積電目前先進(jìn)制程之生產(chǎn)時(shí)程來看，屬于同一世代的10奈米、7奈米進(jìn)度已經(jīng)追上，甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。

臺(tái)積電先進(jìn)制程10奈米、7奈米、5奈米等部分，所有制程皆on schedule10奈米制程2016第1季完成產(chǎn)品認(rèn)證，而10奈米/7奈米應(yīng)用非常廣泛，如手機(jī)、高階networking、Gaming、 wearable等，具有快速的傳輸效率及低耗電量，而7奈米預(yù)計(jì)2018年第1季開始量產(chǎn)。

據(jù)了解，英特爾估計(jì)在2018年確定10奈米量產(chǎn)，7奈米估計(jì)要到2019年，而三星電子(Samsung Electronics)目前10奈米進(jìn)度較不確定，臺(tái)積電在10/7奈米世代已經(jīng)展現(xiàn)雄心，并且展開多方客戶布局。

部分相關(guān)下游業(yè)者表示，未必會(huì)使用10奈米產(chǎn)品，如20奈米為16奈米制程之過渡期產(chǎn)品，反而7奈米才是下一世代鎖定的主力目標(biāo)，而此次臺(tái)積電與ARM的長期合約訂立，也確立7奈米未來將成為國際大廠的主戰(zhàn)場。

據(jù)臺(tái)積電于先前公開法人說明會(huì)之說法，7奈米制程可在2018年第1季提供，而依照臺(tái)積電之計(jì)劃，5奈米將會(huì)在7奈米制程的2年后推出，約在2020年上半可見端倪。