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[導(dǎo)讀]日前三星電子正式宣布,其將11nm FinFET制程技術(shù)(11nm LPP,Low Power Plus)提上研發(fā)日程,預(yù)計(jì)將于明年推出首款采用該工藝的芯片。

日前三星電子正式宣布,其將11nm FinFET制程技術(shù)(11nm LPP,Low Power Plus)提上研發(fā)日程,預(yù)計(jì)將于明年推出首款采用該工藝的芯片。

11nm LPP工藝由之前的三星14nm LPP進(jìn)化而來(lái),相比后者,前者表現(xiàn)將提升15%,且在相同功耗的情況下芯片面積減少10%。

由于目前三星在旗艦手機(jī)領(lǐng)域主推自家10nm FinFET工藝,因而其期望11nm工藝將成為中高端智能手機(jī)的主力軍。新工藝將在明年上半年進(jìn)行量產(chǎn)。11nm LPP工藝主要應(yīng)用于中高端手機(jī)產(chǎn)品,形成市場(chǎng)差異化,如果沒(méi)有意外的話,明年上半年就能見(jiàn)到相應(yīng)的產(chǎn)品投放了,不過(guò)由于三星處理器本身

的原因,有可能首先用在自家的手機(jī)上面,如果高通等公司使用該工藝,則會(huì)應(yīng)用在更多Android手機(jī)上。

與此同時(shí),三星還確認(rèn)了包含EUV (extreme ultra violet,遠(yuǎn)紫外區(qū)) 光刻技術(shù)的7nm LPP制程已經(jīng)提上日程,目標(biāo)是將在明年的下半年開(kāi)始初步試產(chǎn)。

業(yè)界普遍認(rèn)為7nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn),是半導(dǎo)體制造工藝引入EUV技術(shù)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折,這是摩爾定律可以延續(xù)到5nm以下的關(guān)鍵;引入EUV工藝可以大幅提升性能,縮減曝光步驟、光罩?jǐn)?shù)量等制造過(guò)程,節(jié)省時(shí)間和成本。

不過(guò)顯然引入EUV技術(shù)并不容易,其需要投入大量資金購(gòu)買(mǎi)昂貴的EUV設(shè)備,同時(shí)需要進(jìn)行大量的工藝驗(yàn)證以確保在生產(chǎn)過(guò)程中獲得較佳的良率,才能以經(jīng)濟(jì)的成本適用于生產(chǎn)芯片。

三星恰恰擁有這個(gè)優(yōu)勢(shì),它由于擁有多個(gè)產(chǎn)業(yè),可以為它的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝提供資金支持,而它多年來(lái)也愿意為此付出巨額的資金;三星也是全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)企業(yè),可以通過(guò)在存儲(chǔ)芯片上錘煉先進(jìn)工藝,例如在過(guò)去這三年其就采用EUV技術(shù)處理了20萬(wàn)片晶圓生產(chǎn)SRAM。

根據(jù)三星的進(jìn)度,我們可以初步判斷,預(yù)計(jì)今年年底推出的驍龍845用上7nm制程的可能性不大,有較大可能可能依然采用10nm制程工藝。預(yù)計(jì)明年Exynos 9810、麒麟980、Helio X40等芯片同樣將延續(xù)此工藝。但最早我們能在2019年年初看到搭載7nm芯片的智能手機(jī)。

三星成為了最早公布7nm工藝的廠商,但7nm LPP工藝預(yù)計(jì)要等到明年下半年才能量產(chǎn),采用了EUV極紫外光刻技術(shù)。兩款工藝的進(jìn)一步參數(shù)和細(xì)節(jié)預(yù)計(jì)在9月15日于東京的半導(dǎo)體會(huì)議上公布。

而三星最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電方面,在今年3月份則被爆出在和聯(lián)發(fā)科合作試產(chǎn)7nm制程12核心芯片,但根據(jù)臺(tái)積電10nm今年難產(chǎn)的現(xiàn)狀來(lái)看,實(shí)際能夠投放市場(chǎng)的時(shí)間目前還說(shuō)不準(zhǔn)。

臺(tái)積電作為全球最大的半導(dǎo)體代工企業(yè)也有它的優(yōu)勢(shì),由于它一直居于領(lǐng)先地位,獲取了豐厚的利潤(rùn),這為它持續(xù)研發(fā)先進(jìn)工藝提供了資金支持,近兩年在三星的逼迫下它正在不斷提升研發(fā)投入。

不過(guò)由于它采取了更謹(jǐn)慎的態(tài)度,在研發(fā)先進(jìn)工藝上稍微保守,在研發(fā)16nm工藝的時(shí)候它就先在2014年量產(chǎn)了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝,而三星則直接在2015年量產(chǎn)14nm FinFET首次取得在先進(jìn)工藝上對(duì)臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

在7nm工藝上的競(jìng)爭(zhēng),可能會(huì)引發(fā)全球兩大芯片企業(yè)高通和蘋(píng)果訂單的變動(dòng),業(yè)界傳出消息指高通很可能將其明年的高端芯片驍龍845交給臺(tái)積電,而三星則可能奪得蘋(píng)果A12處理器的訂單。

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