DRAM連續(xù)漲價(jià)的原因是什么？

在DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價(jià)格瘋漲現(xiàn)象。據(jù)業(yè)者估計(jì)，2017年DRAM整體價(jià)格漲幅將高達(dá)39%，在智能手機(jī)存儲(chǔ)器容量提升以及服務(wù)器需求的驅(qū)動(dòng)下，明年將出現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)現(xiàn)象。

據(jù)市場(chǎng)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2016年第四季度DRAM供不應(yīng)求，帶動(dòng)2017年第一季度上漲30%以上。以DRAM市場(chǎng)整體走向來看，今年第三季度平均漲幅約7%，未來第四季度漲幅約5%-10%，雖然漲幅依舊，但是至2018年，漲幅會(huì)逐漸趨于平穩(wěn)，相比2017年，漲幅不會(huì)太大。

DRAM連續(xù)一年漲幅的主要原因?yàn)橐韵聨c(diǎn)，其一，近年來，小米、華為以及OPPO等國(guó)產(chǎn)手機(jī)開始走中高端路線。其二，數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器對(duì)于DRAM需求加強(qiáng)。其三，DRAM產(chǎn)業(yè)制程接近極限，技術(shù)研發(fā)難度增加，導(dǎo)致供貨短缺。

至于NAND Flash走勢(shì)情況，據(jù)業(yè)者分析，在今年第四季度蘋果需求的沖擊下，其缺口會(huì)逐漸擴(kuò)大，但是除蘋果外，其余手機(jī)廠商對(duì)于NAND Flash并沒有需求，所以其整體相對(duì)于第三季度會(huì)處于平衡狀態(tài)。明年第一季度為傳統(tǒng)淡季，整體價(jià)格可能會(huì)不升反降。

在芯片市場(chǎng)的沖擊下，三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭直接霸占了90%以上的市場(chǎng)份額，強(qiáng)勢(shì)控制價(jià)格增長(zhǎng)的比率。至于國(guó)內(nèi)外其余芯片企業(yè)，則“分羹”較少，處于緊追猛趕的狀態(tài)，但整體來看，國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)短期內(nèi)也是呈現(xiàn)欣欣向榮之景。

三星的布局

在經(jīng)歷Galaxy Note 7手機(jī)爆炸的影響后，三星對(duì)于產(chǎn)品質(zhì)量以及生產(chǎn)過程有了嚴(yán)格的把控，借助于DRAM市場(chǎng)漲勢(shì)，三星漸漸“恢復(fù)元?dú)?rdquo;。作為全球最大的DRAM芯片制造商，三星無疑是這場(chǎng)漲勢(shì)中最大的受益者，據(jù)第二季業(yè)績(jī)展望報(bào)告顯示，其營(yíng)業(yè)利潤(rùn)再創(chuàng)新高，同比增長(zhǎng)約72%，預(yù)計(jì)未來第三季度將持續(xù)增長(zhǎng)。

據(jù)了解，蘋果、OPPO、三星以及Vivo已經(jīng)承包了三星DRAM近70%的產(chǎn)量，而三星由于3D NAND Flash制程良率以及相關(guān)印刷電路板材料短缺的問題，使得DRAM供應(yīng)短缺更加嚴(yán)重。

對(duì)于新技術(shù)研發(fā)方面，三星似乎早有布局。據(jù)消息稱，三星目前正在研發(fā)17nmDRAM,預(yù)計(jì)明年將進(jìn)入量產(chǎn)階段。同時(shí)，三星也展開了16nmDRAM的研發(fā)，不過最快量產(chǎn)時(shí)間也將在2020年，畢竟隨著制程技術(shù)提升，后面的研發(fā)難度會(huì)越來越大。而且三星預(yù)測(cè)15nm將接近DRAM的物理極限，未來將很長(zhǎng)時(shí)間開發(fā)新材質(zhì)，提升制程穩(wěn)定性以便于縮小線寬。

以目前市場(chǎng)來看，Galaxy Note 8的預(yù)定量再創(chuàng)歷史新高，而且iPhone X所搭載的OLED屏幕均來自于三星，故三星第三季度的營(yíng)收數(shù)據(jù)肯定不會(huì)太差，據(jù)消息透漏，三星將于月底公布營(yíng)收的詳細(xì)結(jié)果。

美光建設(shè)新廠 研發(fā)全新技術(shù)

此前，美光科技DRAM大廠臺(tái)灣桃園廠區(qū)由于氮?dú)庑孤兜脑?，造?000至1萬片的晶圓直接報(bào)廢，4萬片晶圓則被視為次級(jí)品或者報(bào)廢品。好在公司迅速解決并恢復(fù)正常生產(chǎn)運(yùn)作，對(duì)于其之后的產(chǎn)能并沒有太大的影響。

8月14日，美光在總部舉辦活動(dòng)慶祝新廠建設(shè)成功。據(jù)悉，這個(gè)工廠主要用于美光研發(fā)全新內(nèi)存以及存儲(chǔ)技術(shù)，美光技術(shù)開發(fā)執(zhí)行副總裁ScottDeBoer表示，美光的主要DRAM技術(shù)研發(fā)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)入其日本廣島的制造工廠，未來將加快3D NAND以及DRAM全新技術(shù)的研發(fā)。

受惠于DRAM市場(chǎng)的漲潮，美光預(yù)計(jì)2017年會(huì)計(jì)年度第四季營(yíng)收同比增長(zhǎng)91%，高達(dá)61.38億美元，且對(duì)于2017年底營(yíng)收的展望遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期，預(yù)估為63億美元左右。美光執(zhí)行長(zhǎng)SanjayMehrotra表示，美光1X納米DRAM以及64層3D NAND的良率將于今年年底達(dá)到穩(wěn)定階段，從產(chǎn)業(yè)目前情況來看，今年年底前，DRAM以及NAND Flash都將供不應(yīng)求。

SK海力士強(qiáng)勢(shì)出擊

對(duì)于內(nèi)存與存儲(chǔ)器市場(chǎng)，SK海力士則表現(xiàn)的極為“豪氣”，直接出資86.1億美元進(jìn)行3D NAND Flash以及DRAM擴(kuò)產(chǎn)，似乎是市場(chǎng)趨勢(shì)一片大好的原因，SK海力士將兩廠擴(kuò)產(chǎn)竣工的時(shí)間直接縮短至明年第四季度。

據(jù)了解，此次SK海力士擴(kuò)產(chǎn)主要用于技術(shù)升級(jí)，產(chǎn)能至多提升3%-5%，相對(duì)于美光來說，這更像是一場(chǎng)新技術(shù)研發(fā)速度的比賽，畢竟美光剛建設(shè)新廠不久，兩者建設(shè)新廠的目的似乎不謀而合。

在產(chǎn)品研發(fā)上，SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片，并于4月再次推出AI、VR以及自動(dòng)駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲(chǔ)器DRAM–Graphics DDR6。

在NAND Flash 產(chǎn)品方面，美光成功開發(fā)出72層堆疊芯片，相比于上一代48層堆疊芯片，其運(yùn)行速度提升2倍，讀寫性能提升了20%，生產(chǎn)效能也增長(zhǎng)了30%，目前已經(jīng)開始量產(chǎn)。

總結(jié)：

在NAND Flash以及DRAM市場(chǎng)漲潮不斷的情況下，三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現(xiàn)狀，而是不斷研發(fā)全新產(chǎn)品。在這場(chǎng)角逐中，或許他們?nèi)叨际勤A家。