三星、SK海力士開始研發(fā)EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM，最快2020年量產(chǎn)

就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導入EUV技術(shù)之后，存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上，也在研究導入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國另一家存儲器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術(shù)來生產(chǎn)DRAM存儲器，未來有機會藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。

根據(jù)韓國媒體的報導，不論是處理器還是存儲器，現(xiàn)在的半導體生產(chǎn)幾乎都離不開光刻機。至于采不采用最先進的EUV極紫外光光科技術(shù)目前主要是看廠商的需求及成本。相較來說，以邏輯芯片的處理器產(chǎn)品來看，因為在制程節(jié)點推進到7納米制程之后，對EUV技術(shù)的需求就明顯而直接。而且越往下的先進制程，未來也就越仰賴EUV技術(shù)。

報導指出，而反觀DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)，目前對EUV技術(shù)需求相對來說就沒有處理器來得那么殷切。原因是目前最先進的DRAM存儲器制程依然在18納米以上。所以，除了三星與海力士之外，全球三大存儲器廠之一的美光，之前就表態(tài)表示，即使到了1α及1β的制程技術(shù)節(jié)點，也還沒有使用EUV技術(shù)的必要性。

不同于美光的看法，三星在處理器的邏輯芯片制程導入EUV技術(shù)之后，在DRAM存儲器制程上也傳出開始在1Y納米制程節(jié)點上嘗試EUV技術(shù)，而且最快在2020年量產(chǎn)EUV技術(shù)的1Y納米DRAM存儲器。而除了三星之外，SK海力士也將在韓國的利川市新建的DRAM生產(chǎn)工廠中，研發(fā)內(nèi)含EUV技術(shù)的DRAM存儲器生產(chǎn)技術(shù)。

至于，為何要采用EUV技術(shù)來生產(chǎn)DRAM存儲器，其原因就在于可以提高光刻精度、減小線寬、降低存儲器單位容量成本。不過，雖然DRAM存儲器希望以EUV技術(shù)來進行生產(chǎn)。只是，目前在此領(lǐng)域EUV技術(shù)還不夠成熟，產(chǎn)能不如普通的光刻機，這部分還需要時間來進行改進。