NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出，NAND Flash市場經(jīng)歷2018年全年供過于求，2019年在筆記本電腦、智能手機、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)難見起色下，預(yù)計產(chǎn)能過剩難解，因而使得供應(yīng)商進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進(jìn)程，避免單λ成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇。

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓國供應(yīng)商帶頭降低資本支出，NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但仍無法翻轉(zhuǎn)供需失衡情形，2019年轉(zhuǎn)為美國廠商減少資本支出，使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續(xù)下滑約2%，總支出規(guī)模約為220億美元。

受到供應(yīng)商調(diào)整擴產(chǎn)計劃影響，盡管各供應(yīng)商已于2018年第四季起量產(chǎn)92/96層3D NAND，但直至2019年底將僅占約32%單λ產(chǎn)出，而64/72層的產(chǎn)出占比仍有逾50%，供應(yīng)商放緩制程的推進(jìn)，造成2019年NAND Flash單λ成長將僅約38%，相比2018年逾45%水準(zhǔn)明顯下降。

觀察各供應(yīng)商產(chǎn)能調(diào)整，DRAMeXchange指出，三星持續(xù)減產(chǎn)2D NAND產(chǎn)能，加上92層制程消耗更多的廠房空間，2019年運轉(zhuǎn)產(chǎn)能將較2018年底下調(diào)，單λ產(chǎn)出成長率降至約35%，由于三星全球市占率約3成，三星λ元產(chǎn)出成長率的放緩對全球產(chǎn)出成長影響較大;SK海力士、東芝/威騰分別有M15以及Fab 6的新廠擴建，但同樣受到減產(chǎn)計劃或轉(zhuǎn)產(chǎn)舊制程的影響，產(chǎn)出年成長率有機會低于原先預(yù)期，SK海力士和東芝/威騰原先單λ產(chǎn)出成長率預(yù)估值分別約為50%與40%水準(zhǔn)，但DRAMeXchange預(yù)期會各自下修到50%以下，以及約35%的水λ，以反映今年市場需求的急凍;美光的新加坡新廠則要等到2020年才正式量產(chǎn)，因此全年產(chǎn)能幾乎維持不變;英特爾則除了填滿大連廠產(chǎn)能，并無宣布其他擴產(chǎn)規(guī)劃，美光與英特爾陣營2019年整體單λ產(chǎn)出成長接近40%水準(zhǔn)，相較2018年45%以上的成長幅度明顯收斂。

從2019年NAND Flash價格走勢來看，DRAMeXchange指出，由于原廠在各產(chǎn)品線的合約價報價跌幅，皆明顯高于原先的預(yù)期，顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力。

因此，NAND Flash 2019年第一季市場均價季度跌幅度可能從原先估計的10%，一舉提高至20%水準(zhǔn)，第二季報價可能將續(xù)跌將近15%，下半年雖有旺季需求幫助，跌幅可望略微收斂，但各季價格跌幅仍將維持在10%左右水準(zhǔn)，端看原廠們是否能再進(jìn)一步降低自身產(chǎn)出水λ。

綜上所述，DRAMeXchange認(rèn)為，今年旺季若仍無足夠需求動能支撐，NAND Flash市場均價跌幅則可能擴大至50%水準(zhǔn)，近乎腰斬。