Toshiba 與 WD 正在研發(fā) 128-Layer 3D TLC 存儲(chǔ)器顆粒

時(shí)間：2019-03-12 10:48:59

關(guān)鍵字： tlc 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)密度行業(yè)資訊

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[導(dǎo)讀]目前 64-Layer 3D TLC 已經(jīng)是主流 SSD 選配的存儲(chǔ)器顆粒，用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開(kāi)始上市。然而這當(dāng)然并不是終點(diǎn)，業(yè)界已經(jīng)正在步向 128-Layer 的存儲(chǔ)器顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019，SK Hynix、長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)宣布了相關(guān)的計(jì)劃，現(xiàn)在 Toshiba 與 Western Digital (WD)的 128-Layer 存儲(chǔ)器顆粒計(jì)劃也泄漏出來(lái)了。

目前 64-Layer 3D TLC 已經(jīng)是主流 SSD 選配的存儲(chǔ)器顆粒，用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開(kāi)始上市。然而這當(dāng)然并不是終點(diǎn)，業(yè)界已經(jīng)正在步向 128-Layer 的存儲(chǔ)器顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019，SK Hynix、長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)宣布了相關(guān)的計(jì)劃，現(xiàn)在 Toshiba 與 Western Digital (WD)的 128-Layer 存儲(chǔ)器顆粒計(jì)劃也泄©出來(lái)了。

有資料顯示，Toshiba 與 Western Digital 的128-Layer 3D NAND，其被命名為 BiCS 5 (96-Layer 3D NAND 為 BiCS 4)，將會(huì)使用 CuA 設(shè)計(jì)，與非 CuA 技術(shù)相比可把芯片尺寸縮小 15%。目前公布出來(lái)的 128-Layer 3D NAND 為 TLC 設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)密度接近 96-Layer 3D QLC，若果采用 QLC 設(shè)計(jì)的話則更高。

BiCS 5 單 die 采用 4 Planes 設(shè)計(jì)，而與 2 Planes 設(shè)計(jì)相比寫(xiě)入速度由 66 MB/s 提升到 132 MB/s，意ζ著 SSD 在 SLC Cache 用盡后 TLC 的原始寫(xiě)入速度也不會(huì)太難看，不過(guò)具體寫(xiě)入速度還需看主控的算法。

預(yù)計(jì) Toshiba 與 Western Digital 將會(huì)在 2020 年末開(kāi)始投產(chǎn) 128-Layer BiCS-5 存儲(chǔ)器，而要達(dá)到量產(chǎn)的話應(yīng)該要到 2021 年。