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[導(dǎo)讀]為了阻擋東方中國的崛起,最近美國頻頻出手:提升關(guān)稅,封殺華為,點名大疆,從國家到企業(yè),都成為美國制裁的對象。中美之間的摩擦越來越大,貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈,全球經(jīng)濟也蒙陰霾,整合元件制造廠(IDM)需求降溫,委外代工訂單縮減,功率半導(dǎo)體相對去年,市況明顯較冷卻。

為了阻擋東方中國的崛起,最近美國頻頻出手:提升關(guān)稅,封殺華為,點名大疆,從國家到企業(yè),都成為美國制裁的對象。中美之間的摩擦越來越大,ó易戰(zhàn)愈演愈烈,全球經(jīng)濟也蒙陰霾,整合元件制造廠(IDM)需求降溫,委外代工訂單縮減,功率半導(dǎo)體相對去年,市況明顯較冷卻。

IDM廠需求降溫

功率產(chǎn)品為主的晶圓代工世界先進(jìn)去年下半年雖經(jīng)歷美中ó易戰(zhàn)、美元升息等變數(shù),但全年合并營收289.28億元、年增16.13%,創(chuàng)歷年新高,稅后凈利61.66億元、年增36.9%,ÿ股稅后盈余3.72元,獲利也創(chuàng)新高。

今年上半年,因整體大環(huán)境需求疲弱,客戶調(diào)整庫存比預(yù)期慢,世界先進(jìn)第一季營收69.07億元、季減10.4%,稅后凈利13.88億元、季減達(dá)28%,為近4季新低,ÿ股稅后盈余0.85元;預(yù)估第二季營收將續(xù)下滑,季減約1.5%到7.3%,ë利率將從上季的36.1%下滑。

業(yè)界指出,電源管理IC、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管)去年價量俱揚,但到第四季受美中ó易戰(zhàn)影響,需求減緩,中國客戶拉貨轉(zhuǎn)趨保守,沖擊6吋晶圓代工廠接單陡降,產(chǎn)能利用率下滑,今年擴散到國際知名的IDM廠客戶,隨著客戶需求降溫,委外代工訂單縮減,致使世界先進(jìn)今年上半年較疲弱。世界先進(jìn)預(yù)估今年出貨量約231.7萬片8吋晶圓,將較去年的233萬片小減0.56%。

世界先進(jìn)獲利不樂觀

法人表示,隨著美中ó易戰(zhàn)升溫,功率半導(dǎo)體仍消化庫存中,下半年復(fù)蘇恐有變數(shù),世界先進(jìn)今年獲利將不如預(yù)估樂觀,部分外資調(diào)降世界先進(jìn)評等至「中立」,目標(biāo)價下修為59元。

ï矽、漢磊去年營運皆出現(xiàn)轉(zhuǎn)機,但今年市況變差,殺價與搶單重現(xiàn),2家公司第一季營運再度出現(xiàn)虧損,預(yù)期今年將又是挑戰(zhàn)的一年。

延伸閱讀:2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2900億元

全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。

其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%。

集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè),2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球ó易不穩(wěn)定等因素影響,但在需求驅(qū)動下,受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品。集邦咨詢預(yù)估,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到2,907億元人民幣,較2018年成長12.17%,維持雙λ數(shù)的成長表現(xiàn)。

受益于國產(chǎn)替代的政策推動和缺貨漲價的狀況,2018年多家中國本土功率半導(dǎo)體廠商取得亮眼的成績,并擴大布局。其中,比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢,在車用IGBT市場快速崛起,取得中國車用IGBT市場超過兩成的市占率,一躍成為中國銷售額前三的IGBT供應(yīng)商;MOSFET廠商華微電子和揚杰科技營收大增,并且逐漸導(dǎo)入IGBT市場。

另外,新建與規(guī)劃中的IGBT產(chǎn)線有士蘭微廈門12寸特色工藝產(chǎn)線、華潤微電子在重慶建設(shè)的12寸特色工藝產(chǎn)線,以及積塔半導(dǎo)體專業(yè)汽車級IGBT產(chǎn)線等。同時,多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術(shù)領(lǐng)域,基本半導(dǎo)體的SiC MOSFET已進(jìn)入量產(chǎn)上市,而定λ為代工的三安光電SiC產(chǎn)線也已開始接單、比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET,其目標(biāo)是到2023年實現(xiàn)SiC MOSFET對硅基IGBT的全面替代。

展望2019年,從終端需求來看,新能源汽車仍然為中國功率半導(dǎo)體市場最大需求來源,根據(jù)集邦咨詢資料顯示,2019年中國新能源車產(chǎn)量預(yù)估為150萬輛,較前一年成長45%,其ADAS系統(tǒng)、電控以及充電樁的需求將帶動功率分立器件市場規(guī)模約270億元。同時,5G建設(shè)所需的基站設(shè)備及其普及后帶來物聯(lián)網(wǎng)、云計算的快速發(fā)展,將對功率半導(dǎo)體產(chǎn)生長期大量需求,另外,工業(yè)自動化規(guī)劃持續(xù)推進(jìn),與之相關(guān)的電源、控制、驅(qū)動電·將持續(xù)推升中國功率半導(dǎo)體的采購。

從供應(yīng)端來看,2019年雖然有3-5條功率產(chǎn)線將進(jìn)入量產(chǎn),但根據(jù)集邦咨詢預(yù)計,2019年前三季度功率分立器件產(chǎn)品缺貨情況恐難有明顯好轉(zhuǎn),多家廠商的產(chǎn)品價格預(yù)期仍將上漲。從廠商的技術(shù)發(fā)展來看,SiC MOSFET有望進(jìn)一步提高在車用領(lǐng)域?qū)杌鵌GBT的替代率,硅基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續(xù)發(fā)展。

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