中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將投產(chǎn),最大碳化硅材料基地即將誕生
今日,據(jù)悉,中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將投產(chǎn),項目達產(chǎn)后,預計形成產(chǎn)值 100 億元。該項目將有吸引上游企業(yè),形成產(chǎn)業(yè)聚集的作用。打造電子裝備制造、第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈,建成國內(nèi)最大的碳化硅材料供應基地,積極推動山西經(jīng)濟的轉型升級。
該項目投資 50 億元,建設用地約 1000 畝,計劃用 5 年時間,建成“一中心三基地”,即中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)三代半導體技術創(chuàng)新中心、中國電科(山西)光伏新能源產(chǎn)業(yè)基地。
據(jù)了解,由于大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率,碳化硅材料在眾多戰(zhàn)略行業(yè)具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。
但是碳化硅單晶的制備一直是全球性難題,而高穩(wěn)定性的長晶工藝技術是其核心。在中國,碳化硅單晶襯底材料長期依賴進口,其高昂的售價和不穩(wěn)定的供貨情況大大限制了國內(nèi)相關行業(yè)的發(fā)展。
據(jù)悉,自 2007 年,中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃,依靠自身在電子專用設備研發(fā)領域的技術優(yōu)勢,潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。
目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝,形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線,在國內(nèi)最早實現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。