因競爭對手臺積電、三星陸續(xù)在2018 年挺進(jìn)7 納米先進(jìn)制程，格芯(GLOBALFOUNDRIES)日前也宣布，該公司的7 納米制程不但在測試良率已提升到65%，未來將按照時程使用EUV 技術(shù)的商用和普及，并與客戶AMD 展開合作。根據(jù)格芯先前公布，7 納米制程將在2018 年推出，并在年底量產(chǎn)。
根據(jù)格芯全球銷售和業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁Mike Cadigan 日前在中國上海舉辦的GTC 技術(shù)大會演講表示，隨著5G 即將開始商用，資料傳輸?shù)乃俣仍絹碓礁?，手機需要滿足高速且大量的資料傳輸，需要不同以往的射頻元件。在高性能運算需求方面，格芯將提供FinFET 制程，從14LPP 到12LP，再到7LP 等各節(jié)點的制程技術(shù)。
格芯首席技術(shù)長兼全球研發(fā)高級副總裁Gary Patton 指出，目前7 納米制程的7LP EUV 技術(shù)已有積極進(jìn)展。7 納米LP 制程預(yù)期將比14 納米制程效能提升40%、功耗降低60%。目前，7 納米測試良率已經(jīng)提高到65%，將按計劃進(jìn)行EUV 技術(shù)的商用和普及，并且與客戶AMD 合作。
Gary Patton 坦言，在EUV 技術(shù)上，格芯的7 納米制程確實面臨很多挑戰(zhàn)，包括如何進(jìn)一步提升良率、光罩防塵膜瑕疵等問題，必須努力克服才能投入大規(guī)模量產(chǎn)，目標(biāo)是將良率提高到95%。格芯目前采取分階段采用EUV 技術(shù)的策略，第一階段將不采用光罩防塵膜(pellicle)，第二階段才會使用。
格芯進(jìn)一步指出，其新開發(fā)的7 納米FinFET 制程技術(shù)充分利用了其在14 納米FinFET 制程技術(shù)上的大量制造經(jīng)驗，該技術(shù)于2016 年初2 月8 日開始在Fab 8 晶圓廠中正式生產(chǎn)之后，格芯已為廣大的客戶提供了「一次便成功」的設(shè)計。
為了加快7LP 的量產(chǎn)進(jìn)度，格芯正在持續(xù)投資最新的研發(fā)設(shè)備能力，包括在2017 年下半年首次購入兩組極端紫外線(EUV)光刻工具。不過，7LP 的初始量產(chǎn)的性能提升將依賴傳統(tǒng)的光刻方式，而當(dāng)具備大量生產(chǎn)條件之際，將逐步使用EUV 光刻技術(shù)。
除了先進(jìn)制程，傳統(tǒng)的成熟制程一般很難滿足所有應(yīng)用的要求，物聯(lián)網(wǎng)(IOT)對低功耗的要求更高，因此低功耗高性價比要求的應(yīng)用，格芯也針對物聯(lián)網(wǎng)、行動通信、射頻芯片提供22FDX、12FDX 等制程解決方案。
Gary Patton 指出，目前格芯20、22 納米已進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，且2018 年底前已有15 個設(shè)計定案，并陸續(xù)有135 家客戶展開初期接觸。他指出，目前12FDX 性能已經(jīng)90% 達(dá)到目標(biāo)，預(yù)計2018 年下半年進(jìn)入試產(chǎn)，2019 年上半年正式量產(chǎn)。
格芯在中國的布局方面，受矚目的成都晶圓廠Fab 11(11 廠)廠房施工建設(shè)歷時8 個多月，一期廠房即將于11 月初封頂，項目進(jìn)展十分順利。預(yù)計在2018 年完工時，將成為中國境內(nèi)最大的晶圓廠，并成為中國最先進(jìn)12 寸晶圓廠之一。同時，F(xiàn)ab 11 也將成為格芯 22FDX 制程的生產(chǎn)中心。
預(yù)計先期Fab 11 會以生產(chǎn)0.13 微米到0.18 微米的主流成熟技術(shù)產(chǎn)品為主，每月產(chǎn)能為20,000 片。到2019 年下半年，將進(jìn)行高度差異化的22FDX(FD-SOI)制程量產(chǎn)，屆時產(chǎn)量將提高至每月65,000 片。
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