東芝將投資擴產(chǎn)NAND Flash

2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報導(dǎo)，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。

事實上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中，預(yù)計將于 2018 年第 4 季完工。 不過，面對市場的強烈需求，東芝擴產(chǎn)的步伐似乎還不打算停下來。 因此，東芝在 21 日宣布，將投資 70 億日圓用于 Fab7 廠的興建，選址就位于日本四日市。 日前，東芝才就出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)一事已經(jīng)和威騰電子握手言和，達成協(xié)議。 未來東芝需要威騰電子的數(shù)據(jù)提供，以使得 2018 年的新先進芯片生產(chǎn)線進行投產(chǎn)，以此競爭對手和三星、Intel、及 SK 海力士競爭。

報導(dǎo)進一步指出，目前數(shù)據(jù)中心和企業(yè)服務(wù)器強勁 NAND Flash 閃存需求，已經(jīng)促使東芝擴大在四日市的設(shè)備規(guī)模。 而且，其他 NAND Flash 閃存供貨商，包括了三星與 SK 海力士在 2017 年都宣布完成或開始新廠建造計劃。

目前，東芝主要以生產(chǎn) 64 層堆棧的 V-NAND 閃存為主，未來計劃在下一步升級到 94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)。 而除了 TLC 規(guī)格之外，也將還會有特別的 QLC 規(guī)格產(chǎn)品，目的就是為了加強產(chǎn)品的滲透力以提升市場競爭力。

而對于將興建 Fab7 廠，東芝預(yù)計在 2018 年 2 月完成新廠的土地的收購作業(yè)，同時會下單建筑材料和基礎(chǔ)設(shè)備。 據(jù)了解，東芝還將根據(jù)市場趨勢，成立東芝儲存巖手縣公司，以管理工廠的建設(shè)和運營。 整體廠房興建計劃將在 2018 年底前完成，2019 年之后逐步安裝設(shè)備，并且在年底前開始生產(chǎn)。