聯(lián)電和美商合作范疇擴展至28納米以下的制程技術(shù)

聯(lián)電6日與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式存儲器的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)。同時聯(lián)電也將透過Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司。

聯(lián)電根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM存儲器模組整合至應(yīng)用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(SoC)上。

聯(lián)電先進技術(shù)處副總洪圭鈞表示，聯(lián)電不斷推出持續(xù)精進的制程技術(shù)，以提升客戶的競爭優(yōu)勢。而隨著嵌入式非揮發(fā)性存儲器NVM解決方案在目前的芯片設(shè)計界日趨普及，我們已經(jīng)為高成長的行業(yè)，如：新興消費和車用電子應(yīng)用的客戶，建立了強大且堅實的嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案組合。很高興和Avalanche合作開發(fā)28納米MRAM，更期待能將此合作進程推升至聯(lián)電客戶的量產(chǎn)階段。

兩家公司也正考慮將合作范疇擴展至28納米以下的制程技術(shù)，利用Avalanche 在CMOS技術(shù)的相容及可擴充特性，運用到各個先進制程。使這些統(tǒng)一存儲器(非揮發(fā)性及靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM)能順利地移轉(zhuǎn)調(diào)配到下一世代的高整合性的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(SoC)上。如此一來，系統(tǒng)設(shè)計者就可以在同樣的架構(gòu)及連帶的軟件系統(tǒng)上直接修改而不需重新設(shè)計。

Avalanche的執(zhí)行長及共同創(chuàng)辦人Petro Estakhri表示，非常高興團隊里有像聯(lián)電這樣的世界級半導體晶圓專工的領(lǐng)導者，帶給我們在市場上最卓越的技術(shù)。