三星緊跟市場 正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC快閃存儲器的SSD

近期以來，在快閃存儲器(Nand Flash)市場競爭激烈的情況下，各家廠商開始尋求新技術(shù)的產(chǎn)品來滿足市場的需求。因此，廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC架構(gòu)的快閃存儲器上。之前包括英特爾(Intel)、美光(Micron)、西數(shù)(WD)、東芝(Toshiba)等大廠就已經(jīng)宣布推出了QLC架構(gòu)的快閃存儲器，現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC快閃存儲器的SSD。

三星表示，全新的QLC快閃存儲器被稱之為4-Bit QLC快閃存儲器，同時三星也指出，已經(jīng)開始量產(chǎn)基于4-Bit QLC快閃存儲器的消費級SSD。這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。三星還表示，全新的4-Bit V-NAND芯片可以達(dá)到單顆1Tb的規(guī)模。同時，三星也可以憑藉該項技術(shù)，輕而易舉地制造出超過128GB的TF卡。

三星進(jìn)一步表示，4-Bit QLC快閃存儲器能夠讓SSD達(dá)到540MB/s的持續(xù)讀取速度，以及520MB/S的持續(xù)寫入速度。并且QLC架構(gòu)的快閃存儲器可以讓這些SSD產(chǎn)品從1TB起步，最高達(dá)到4TB的容量。

事實上，三星相對于其他廠商來說，雖然是最早喊出QLC架構(gòu)快閃存儲器的廠商，但是過去僅有到第5代3D堆疊超過90層的V-NAND進(jìn)入量產(chǎn)。而第5代V-NAND為每cell紀(jì)錄3Bit的效能，明顯無法與當(dāng)前的4Bit產(chǎn)品相比。如今，正式推出4-Bit QLC架構(gòu)的快閃存儲器后，算是正式追趕上其他廠商的腳步。不過，三星的4-Bit QLC架構(gòu)的快閃存儲器單顆1Tb的規(guī)模，仍是要低于仍是要低于東芝與威騰電子合作開發(fā)出的最大單一晶粒容量1.33Tb的產(chǎn)品。

而目前三星尚未公布新一代QLC架構(gòu)快閃存儲器所打造的SSD的價格。