三星的量產(chǎn)內建EUV技術7納米LPP制程 性能可增加20%

晶圓代工大廠三星宣布，正式開始使用其7納米LPP制程制來生產(chǎn)晶圓。三星的7納米LPP制程中使用極紫外光刻(EUV)技術，這將使三星7納米LPP制程能夠明顯提升芯片內的電晶體密度，同時優(yōu)化其功耗。此外，EUV技術的使用還能使客戶減少每個芯片所需的光罩數(shù)量，在降低生產(chǎn)成本下，還能縮短其生產(chǎn)的時間。

三星表示，7納米LPP制程在同樣的復雜度下，相較前一代的10納米FinFET制程，可以減少40%的芯片面積，同時降低50%的功耗，并且使效能提升提高20%。另外，在生產(chǎn)成本上面，因為7納米LPP制程加入了EUV技術，在采用13.5nm波長來曝光硅晶圓的情況下，相較過去采用193nm波長來進行曝光的傳統(tǒng)的氟化氬(ArF)浸沒技術，EUV技術只需要單個光罩就能完成單層硅晶圓的曝光，而傳統(tǒng)ArF則需要4個光罩來處理。所以，7納米LPP制程不僅降低了生產(chǎn)成本，還縮短了生產(chǎn)時間。

三星進一步指出，三星發(fā)展EUV技術開始于2000年代，透過三星與領先業(yè)界的設備供應商進行合作，在其生產(chǎn)設施中設計和安裝全新設備，以確保EUV技術生產(chǎn)下的晶圓穩(wěn)定性。目前，最初的EUV技術生產(chǎn)制程已經(jīng)在三星位于韓國華城的S3 Fab開始，而到2020年之際，三星希望透過內建EUV技術的新制程，為需要大量生產(chǎn)下一代芯片的IC設計業(yè)者提供更大的產(chǎn)能。而且，三星還因為導入EUV技術，進一步開發(fā)了專有設備。例如獨特的光罩檢測工具，可在EUV光罩中執(zhí)行早期缺陷檢測，使得可以在制造生產(chǎn)的早期消除缺陷，提升良率。

三星還表示，新一代的7納米LPP制程將瞄準包括5G、人工智能、企業(yè)和超大規(guī)模資料中心、物聯(lián)網(wǎng)、汽車和網(wǎng)絡等應用的需求。此外，三星的Advanced Foundry Ecosyste也為導入內建EUV技術的7納米LPP制程做好了準備。也就是，整個產(chǎn)業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，將提供包括基礎和高級IP、高級包裝和服務，以使三星客戶能夠在這個新平臺上開發(fā)他們的產(chǎn)品。

目前，提供這些服務的廠商包括Ansys、Arm、Cadence、Mentor、SEMCO、Synopsys和VeriSilicon等，供應包括HBM2/2E、GDDR6、DDR5、USB 3.1、PCIe 5.0和112G SerDes等介面IP解決方案。

不過，三星這次沒有透露其首個采用其7納米LPP制程的客戶名稱，僅表示使用新制程的第一批芯片將會是針對行動和HPC應用為主。不過，依照過去的經(jīng)驗，三星電子會是半導體代工部門的第一個采用新制程技術的客戶。

因此，預計到2019年，三星將會將推出一款智能手機使用的自有品牌7納米制程處理器。此外，目前三星代工事業(yè)的重要客戶高通，預計也將會采用新的7納米LPP制程技術來生產(chǎn)“Snapdragon 5G”移動處理器。