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[導(dǎo)讀]1月7日,紫光集團(tuán)官方微信公眾號發(fā)文,宣布旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司宣布成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。

1月7日,紫光集團(tuán)官方微信公眾號發(fā)文,宣布旗下紫光宏ï微電子(上海)有限公司宣布成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。

資料顯示,紫光宏ï的前身宏ï微電子(上海)有限公司原為臺(tái)灣南ï科技的全資子公司,2017年6月紫光集團(tuán)通過旗下全資子公司西藏紫光國微出資收購其48%股權(quán),成為其最大股東并實(shí)際主導(dǎo)經(jīng)營。

2018年7月4日,宏ï微電子正式完成工商登記變更,公司名稱由“宏ï微電子(上海)有限公司”變更為“紫光宏ï微電子(上海)有限公司”。經(jīng)過一系列戰(zhàn)略調(diào)整和轉(zhuǎn)型,紫光宏ï重點(diǎn)發(fā)展存儲(chǔ)器的封裝與測試。

根據(jù)紫光集團(tuán)存儲(chǔ)芯片戰(zhàn)略規(guī)劃,紫光宏ï自2018年4月起開始建設(shè)全新3D NAND封裝測試產(chǎn)線,組建團(tuán)隊(duì)、研發(fā)先進(jìn)封測技術(shù);2018年5月完成無塵室建置;2018年6月開始投片實(shí)驗(yàn);2018年9月完成產(chǎn)品初期驗(yàn)證;2018年11月產(chǎn)品通過客戶內(nèi)部驗(yàn)證;2019年1月順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),正式交付紫光存儲(chǔ)用于企業(yè)級SSD的3D NAND芯片顆粒。

至此,紫光宏ï成為全系列存儲(chǔ)器封測的一站式服務(wù)提供商,產(chǎn)品包括3D NAND(Raw NAND,eMMC,UFS,eMCP,TF card)、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存儲(chǔ)器產(chǎn)品的封裝和測試。紫光集團(tuán)表示,紫光宏ï企業(yè)級3D NAND芯片封測成功量產(chǎn),標(biāo)志著內(nèi)資封測產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無到有的重大突破,也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。

目前,紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域擁有長江存儲(chǔ)、西安紫光國芯、紫光存儲(chǔ)等系列子公司,涵蓋NAND Flash、DRAM等存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、制造、封測及模組等產(chǎn)業(yè)鏈布局。

2018年8月6日,長江存儲(chǔ)公開發(fā)布其突破性技術(shù)XtackingTM,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所δ有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度以及更短的產(chǎn)品上市周期,據(jù)悉長江存儲(chǔ)已成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。

根據(jù)規(guī)劃,長江存儲(chǔ)將于2019年大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,傳聞2020年將跳過96層堆棧的3D閃存,直接量產(chǎn)128層堆棧的3D閃存。業(yè)界認(rèn)為,紫光宏ï企業(yè)級3D NAND芯片封測的成功量產(chǎn)為長江存儲(chǔ)芯片規(guī)模上市做好最后的準(zhǔn)備。

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