美國存儲器領導廠美光25日在世界移動大會(MWC)發(fā)表全球首款超大容量microSD閃存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。該產品為高性能的可抽取式儲存解決方案，提供高達 1TB1的儲存容量，消費者可用此閃存卡，在手機或其他電子裝置上儲存4K影片、照片與游戲。預計第2季上市銷售。
此款閃存卡為業(yè)界首款采用美光先進96層四階儲存單元(QLC)3D NAND 技術的 microSD 閃存卡，ÿ秒讀取速度高達 100 MB，ÿ秒寫入速度3可達 95 MB，符合UHS-I 速度等級 3 (U3)與影片速度等級 30 (V30)的標準。
Forward Insights總裁Gregory Wong表示，3D QLC NAND技術時代來臨，將帶動市場對高容量消費性儲存裝置的需求增長。且指出，美光推出的新閃存卡為可抽取式儲存裝置市場劃下重要里程碑，將有助于加速移動裝置和游戲裝置轉換成高容量儲存裝置。
美光嵌入式產品事業(yè)部 NAND 解決方案資深總監(jiān) Aravind Ramamoorthy 則表示，通過研發(fā) CuA (CMOS under the Array) 架構和 96 層 QLC技術，公司站穩(wěn) 3D NAND領域領導地λ，全新的c200 系列 1TB microSD 閃存卡將滿足消費者對移動裝置黏著度高的生活方式，輔助用戶自由擷取、分享、儲存和享受更多內容。
除了閃存產品，美光在DRAM技術也持續(xù)推進，此前也宣布在臺灣建立DRAM卓越中心，該公司臺灣區(qū)副總裁徐國晉此前在一場ý體餐敘上透¶，去年在臺灣導入1x納米制程后，預定下半年還將導入1y納米制程量產，同時并進行1z制程試產，希望明年導入量產。
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