臺積電28納米添新單！円星內(nèi)嵌閃存IP第3季正式推出

IP開發(fā)商円星科技(M31)宣布，將在臺積電28納米嵌入式閃存存儲器制程技術(shù)(TSMC 28nm Embedded Flash Process) 開發(fā)SRAM Compiler IP，此系列IP預(yù)計于今年第3季提供客戶設(shè)計整合使用。

円星董事長林孝平表示，隨網(wǎng)絡(luò)傳輸頻寬不斷加大，數(shù)據(jù)運算與儲存需求日增。円星在臺積電領(lǐng)先業(yè)界的28納米嵌入式閃存制程開發(fā)的IP，除了可縮短設(shè)計周期，還能降低SoC功耗并提高效能，可廣泛應(yīng)用于高速的數(shù)據(jù)處理、電源管理，物聯(lián)網(wǎng)、車用電子，以及移動通訊等產(chǎn)品的設(shè)計上。

臺積電設(shè)計建構(gòu)行銷事業(yè)處資深處長Suk Lee則說，嵌入式閃存存儲器技術(shù)對于支持智能行動，汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)等廣泛應(yīng)用至關(guān)重要。憑借M31與臺積電28納米嵌入式閃存制程技術(shù)努力合作開發(fā)的IP，將有助于設(shè)計人員優(yōu)化SoC，實現(xiàn)速度，面積和功耗之間的成功平衡。

此次円星科技以臺積電28納米嵌入式閃存存儲器制程技術(shù)開發(fā)的SRAM Compiler IP功能齊全，支援多種節(jié)能模式，使用者可依據(jù)不同操作狀態(tài)，切換到當(dāng)下最佳省電模式，來延長行動元件電池的使用時間，以提供客戶更多元的產(chǎn)品運用?；趦?yōu)異的技術(shù)特性，此系列IP可以完全整合在嵌入式閃存存儲器制程平臺上，預(yù)計今年第3季提供知名國際大廠采用。

去年円星也曾發(fā)布與臺積電合作布局22納米ULP/ULL技術(shù)的全系列IP。據(jù)當(dāng)時円星提供資料，臺積電22納米ULP/ULL技術(shù)為28納米技術(shù)優(yōu)化版本，具有低功耗/低©電和高效能的優(yōu)勢，同時保持高度的成本效益。

円星當(dāng)時提到，與28HPC+技術(shù)相比，臺積電22納米ULP/ULL技術(shù)可在相同的運行速度下減少約5%至10%的芯片面積，降低功耗約25%，或在相同功耗下提高15%的效能。此制程技術(shù)下開發(fā)產(chǎn)品應(yīng)用將涵蓋物聯(lián)網(wǎng)、GPS、RF、5G等等。