英特爾技術(shù)追趕 向投資者介紹其7nm計(jì)劃

在臺(tái)積電的7nm+、6nm甚至5nm工藝之下，英特爾已經(jīng)顧不上再宣傳自家的14nm++相比其他工藝如何優(yōu)秀。在近日的投資者日活動(dòng)上，英特爾新任首席執(zhí)行官司睿博(BobSwan)向大家介紹了其制造能力方面的信息。

10nm一·跳票并最終在工藝制程落后于其他制造商，對(duì)于英特爾來(lái)說(shuō)是個(gè)尷尬的話(huà)題。

司睿博介紹了其中的原因，主要在于2013年的計(jì)劃“步子邁的太大”，想用四重曝光、COAG、Cobolt互聯(lián)以及Foveros3D堆疊等技術(shù)將晶體管密度一下提升到14nm的2.7倍。事實(shí)證明這個(gè)計(jì)劃低估了工藝難度，導(dǎo)致原本預(yù)計(jì)在2016年實(shí)現(xiàn)的10nm工藝被迫一步步推遲到2019年。

停滯在14nm的這幾年中，英特爾持續(xù)改進(jìn)工藝細(xì)節(jié)，并獲得了超過(guò)20%的性能提升，并且為δ來(lái)的新節(jié)點(diǎn)做好了充分的準(zhǔn)備。

今年6月會(huì)有10nm的IceLake上市，不過(guò)僅限筆記本移動(dòng)平臺(tái)。桌面平臺(tái)請(qǐng)繼續(xù)等10nm+……

盡管10nm才剛剛要起步，英特爾已將7nm工藝上馬節(jié)點(diǎn)設(shè)定在2年后的2021年。英特爾在改進(jìn)型7nm+上計(jì)劃使用EUV光刻，應(yīng)用下一代Foveros和EMIB封裝技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)相比10nm的雙倍擴(kuò)展。最終這個(gè)計(jì)劃能夠按期實(shí)現(xiàn)還是比較讓人擔(dān)心的。

除此之外，F(xiàn)overos和EMIB封裝技術(shù)還將應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心處理器以及GPU加速芯片當(dāng)中。

玩家們一直念叨的英特爾獨(dú)立顯卡項(xiàng)目，Xe架構(gòu)的GPU處理器將在2021年以7nm工藝制造出來(lái)，并面向數(shù)據(jù)中心、AI人工智能以及HPC高性能計(jì)算領(lǐng)域。桌面獨(dú)立顯卡應(yīng)用尚無(wú)時(shí)間表。

英特爾目前還在10nm進(jìn)度上苦追進(jìn)度，小編覺(jué)得7nm的產(chǎn)品·線(xiàn)圖我們還是等明年再看吧，PPT總是很善變的。AMD能否憑借7nm工藝在效率而不僅僅是核心數(shù)量上超越英特爾，這才是今年夏天的重磅看點(diǎn)。英特爾的10nm制程處理器終于可以大規(guī)模上市了，從目前的節(jié)奏來(lái)看，移動(dòng)平臺(tái)率先體驗(yàn)到10nm處理器，目前還不清楚10nm究竟帶來(lái)多達(dá)提升，不過(guò)對(duì)于絕大多數(shù)看客而言，10nm來(lái)了才是最關(guān)鍵的。