臺(tái)積電：繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能，5nm技術(shù)已有重大突破

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電全球總裁魏哲家今日表示，當(dāng)前，臺(tái)積電每年可以生產(chǎn)1200萬(wàn)片的12英寸晶圓，1100萬(wàn)片8英寸晶圓，每年增加產(chǎn)能14.3%。

他表示，今年投100億美元增產(chǎn)能，下一步5納米技術(shù)，已經(jīng)有客戶在此技術(shù)基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)產(chǎn)品。明年第一、第二季度，5納米技術(shù)為支撐的產(chǎn)品將可以量產(chǎn)。并且，整個(gè)IP可以繼續(xù)使用，在工藝提升時(shí)，很多IP可以重復(fù)使用。

臺(tái)積電確定會(huì)是全球第一個(gè)提供5納米量產(chǎn)服務(wù)的晶圓代工廠，并再度完封三星，獨(dú)攬?zhí)O果新處理器大單。

臺(tái)積電供應(yīng)鏈指出，臺(tái)積電目前在5納米制程已獲重大突破，尤其中國(guó)大陸表態(tài)不會(huì)反制蘋果作為中美貿(mào)易談判籌碼后，讓蘋果吃下定心丸，要求臺(tái)積電布建5納米產(chǎn)能，明年導(dǎo)入量產(chǎn)。

魏哲家稍早在美西技術(shù)論壇時(shí)，已宣布推出5納米先進(jìn)制程設(shè)計(jì)套件平臺(tái)，等于向全球宣示臺(tái)積電在5納米晶圓代工領(lǐng)先全球，未來在3納米也將維持領(lǐng)先。

近日，臺(tái)積電官宣，正式啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā)，工廠設(shè)置在位于臺(tái)灣新竹的南方科技園，預(yù)計(jì)2024年投入生產(chǎn)。

臺(tái)積電并沒有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料，通過晶體管的結(jié)構(gòu)能夠看到目前并沒有明顯變化，進(jìn)一步壓榨硅半導(dǎo)體技術(shù)。按照臺(tái)積電的指示，2nm將會(huì)是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時(shí)Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23%。