ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出20納米及FinFET 技術(shù)

21ic訊 GLOBALFOUNDRIES和 ARM日前宣布已簽訂了一份多年期協(xié)議，旨在為采用GLOBALFOUNDRIE 20納米與FinFET工藝的 ARM 處理器設(shè)計(jì)提供優(yōu)化的系統(tǒng)級芯片 (SoC) 解決方案。該協(xié)議將進(jìn)一步拓展雙方長期合作關(guān)系，并將合作領(lǐng)域擴(kuò)展到在移動設(shè)備中重要性逐漸提高的圖像處理器元件。作為協(xié)議的一部分，ARM 將開發(fā)一個(gè)包括標(biāo)準(zhǔn)單元、邏輯電路、內(nèi)存編譯器和 處理器優(yōu)化包(POP™) IP 解決方案在內(nèi)的ARM® Artisan® 物理 IP 的完整平臺。此次合作將有助于將包括智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本在內(nèi)的一系列移動應(yīng)用的系統(tǒng)性能和電源效率提升到一個(gè)新的水平。

在共同優(yōu)化 ARM® Cortex™-A 系列處理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)積累了多年合作經(jīng)驗(yàn)。其中不僅包括28納米工藝上已經(jīng)在性能與功效方面所展現(xiàn)的多項(xiàng)優(yōu)勢，也包括美國紐約州馬爾他鎮(zhèn)的晶圓廠中正在生產(chǎn)的 20 納米測試芯片。通過推動制造IP平臺的創(chuàng)新，新的協(xié)議進(jìn)一步延續(xù)了此前的合作，從而令客戶能夠在20納米工藝平臺上進(jìn)行設(shè)計(jì)，有助于客戶迅速轉(zhuǎn)移至三維 FinFET 晶體管技術(shù)。對于ARM 下一代移動 CPU 和 GPU的用戶而言，這項(xiàng)共同開發(fā)則可加快SoC解決方案的上市時(shí)間。

GLOBALFOUNDRIES將為下一代高能效 ARM Cortex™ 處理器和 Mali™ GPU 技術(shù)開發(fā)優(yōu)化實(shí)施和基準(zhǔn)分析，加快客戶使用相應(yīng)技術(shù)進(jìn)行SoC設(shè)計(jì)的速度。GLOBALFOUNDRIES 20納米LPM、FinFET制成、POP IP 封裝的ARM Artisan實(shí)體IP完整平臺為SoC設(shè)計(jì)者提供一個(gè)基本建造架構(gòu)。該平臺基于現(xiàn)有的Artisan 物理 IP 平臺，適用于GLOBALFOUNDRIES的多個(gè)工藝，包括 65 納米、55 納米、28 納米、以及目前可供授權(quán)的28 納米 SLP Cortex-A9 POP技術(shù)。
ARM 執(zhí)行副總裁兼處理器及物理 IP 部門總經(jīng)理 Simon Segars 表示：“這次的初步合作促進(jìn)了ARM 和GLOBALFOUNDRIES的技術(shù)在針對未來多個(gè)重要市場的SoC中的快速采用。同時(shí)，為手機(jī)、平板電腦和計(jì)算應(yīng)用提供設(shè)計(jì)服務(wù)的客戶也將由于此次合作中的高能效 ARM 處理器和圖形處理器而獲益匪淺。通過在下一代 20納米LPM與FinFET工藝方面的積極合作，我們能夠確保為雙方的共同客戶提供一系列的實(shí)施選項(xiàng)，將先進(jìn)半導(dǎo)體裝置的發(fā)展往前推進(jìn)兩個(gè)世代。”

ARM POP 技術(shù)提供市場領(lǐng)先的性能、功耗和面積，加快了 ARM Cortex-A 系列 CPU 的內(nèi)核強(qiáng)化。POP IP 封裝由三部分組成，它們是ARM內(nèi)核優(yōu)化實(shí)施的關(guān)鍵。首先，它涵蓋了Artisan 物理 IP 標(biāo)準(zhǔn)單元、邏輯電路以及專門針對特定 ARM 處理器和晶圓廠技術(shù)進(jìn)行調(diào)整的內(nèi)存緩存實(shí)例。其次，還同時(shí)提供全面的基準(zhǔn)測試報(bào)告，用于記錄 ARM 在涵蓋了一系列配置和設(shè)計(jì)目標(biāo)的內(nèi)核實(shí)施中所需要的精確條件和最終結(jié)果。最后，該封裝還包括了平面布局、腳本、設(shè)計(jì)工具和 POP 實(shí)施指南在內(nèi)的實(shí)施細(xì)則，具體說明了可供最終客戶以極低的風(fēng)險(xiǎn)快速實(shí)現(xiàn)相似結(jié)果的實(shí)施方法。

GLOBALFOUNDRIES 的20 納米 LPM 技術(shù)是一個(gè)全面的經(jīng)濟(jì)高效型平臺，可提供最高 40% 的性能提升和兩倍于28 納米芯片的門密度。由于 20 納米 LPM技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)一系列晶體管功能，它將用于滿足大容量細(xì)分市場中大范圍的功耗和性能點(diǎn)。通過將晶體管和金屬間距完全按比例縮小，所得到的 20 納米 LPM 器件將在成本和面積方面具有很大的競爭優(yōu)勢，符合下一代設(shè)備的需求。

此次合作還拓展到了GLOBALFOUNDRIES基于 FinFET 的工藝。通過早期的預(yù)先準(zhǔn)備，雙方將共同優(yōu)化物理 IP 和工藝，以確保從 20 納米 LPM 的快速遷移。因此，此次合作將以前所未有的速度和更低的風(fēng)險(xiǎn)提供一系列實(shí)施方案。

GLOBALFOUNDRIES全球銷售與市場的高級副總裁Mike Noonen表示：“ARM技術(shù)已整合至全球許多產(chǎn)量最高的產(chǎn)品之中。相信在今后數(shù)年內(nèi)，對于GLOBALFOUNDRIES客戶來說，其重要性都只會不斷提高。藉由我們的實(shí)施知識并將其應(yīng)用于下一代高能效 ARM 處理器和圖形處理器，我們相信雙方可以攜手為彼此的共同客戶提供顯著的差異化優(yōu)勢，繼續(xù)引領(lǐng)下下兩代產(chǎn)品的創(chuàng)新。”