東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

21ic訊 東芝公司今天宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e･MMCTM [1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。

能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲(chǔ)空間的高密度NAND閃存芯片的需求不斷增長(zhǎng)。這在包含控制器功能的嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域尤為明顯，這種嵌入式存儲(chǔ)器可以使開發(fā)要求降至最低，并使得整合進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加便利。東芝正通過(guò)增強(qiáng)其高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列來(lái)滿足這一需求。

該公司的新型32 GB嵌入式設(shè)備在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個(gè)64Gbit(相當(dāng)于8GB)NAND芯片(采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造)和一個(gè)專用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDEC e･MMCTM 5.0版標(biāo)準(zhǔn)，并且通過(guò)采用新的HS400高速接口標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)了高讀寫性能。

東芝將在密度為4GB至128GB的單一封裝嵌入式NAND閃存系列中使用這些NAND芯片。所有設(shè)備都將整合一個(gè)控制器來(lái)管理NAND應(yīng)用的基本控制功能。

在16GB和32GB產(chǎn)品之后，東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產(chǎn)品。

主要功能

1. 符合JEDEC e･MMCTM 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的接口可以處理基本功能，包括寫塊管理、糾錯(cuò)和驅(qū)動(dòng)軟件。它可簡(jiǎn)化系統(tǒng)開發(fā)，讓制造商能夠使開發(fā)成本最小化，并加快新產(chǎn)品和升級(jí)產(chǎn)品的上市速度。

2. 嵌入系統(tǒng)后，128GB模塊能夠以128Kbps比特率記錄長(zhǎng)達(dá)2,222小時(shí)的音樂(lè)、16.6小時(shí)的全高清視頻和38.4小時(shí)的標(biāo)清視頻[2]。

3. 新產(chǎn)品采用使用19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造的NAND閃存芯片。

4. 新產(chǎn)品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝，并且擁有符合JEDEC e･MMCTM 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào)布局。

[1] e･MMCTM是采用JEDEC e･MMCTM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格制造的嵌入式存儲(chǔ)器產(chǎn)品的商標(biāo)和產(chǎn)品類別。

[2] HD和SD分別按照17Mbps和7Mbps的平均比特率計(jì)算。

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