21ic訊 KitGuru和phoneArena報導(dǎo)指出，在本月發(fā)布的最新版GNU編譯器中，支持ARM伙伴開發(fā)的定制核心名單中三星Exynos M1(外傳M代表Mongoose)赫然在目。果然，三星Exynos 7420的大獲成功，使其有信心擴(kuò)大自研芯片的陣容，希望借以提升三星系統(tǒng)芯片事業(yè)的整體競爭力。
據(jù)傳為應(yīng)對高通的Krait系列，三星新品取名Mongoose(貓鼬)，為Krait(環(huán)蛇)的天敵。據(jù)目前已知消息可知，Exynos M1采用與ARMv8-A核心相容的定制化核心，不再使用ARM Cortex-A72，支持64位。同時采用14nm工藝制程，最高時鐘在2.3GHz，據(jù)稱其在GeekBeanch 3跑分中單核成績達(dá)到2200，比目前三星Exynos 7420竟多出45%。
由于三星是異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)的創(chuàng)始成員，有可能與HSA相容，使處理器包括CPU 、GPU與DSP等核心架構(gòu)各司其職，使功耗應(yīng)用更合理、性能得以最大化。Exynos M1或?qū)⒊蔀槿荕ongoose 處理器的首款產(chǎn)品。GNU編譯器支持Exynos M1，不僅說明這一芯片的存在性，還說明三星正在內(nèi)部測試。軟件開發(fā)商通常會在芯片量產(chǎn)前的9~12個月拿到首批樣品，若依照慣例三星明年3、4月間發(fā)布新旗艦機(jī)型，也不排除用在Galaxy S7的可能性。
一直以來，三星從未停止過自研芯片的腳步，尤其看到蘋果A系列處理器大獲成功且擺脫第三方廠商的控制之后。從2009年開始三星便在韓國市場銷售的智能手機(jī)上搭載自研AP芯片，包括Galaxy Note 4都采用高通和Exynos雙平臺并行的形式，只是韓國市場容量相對有限，自研芯片的比例仍舊很低。
三星最新發(fā)布的Galaxy S6和Galaxy S6 Edge首次拋棄高通平臺，選用三星系統(tǒng)LSI研發(fā)的Exynos 7420，采用三星14nm FinFET工藝制造，性能和功耗表現(xiàn)突出，頗受業(yè)內(nèi)好評。尤其制程工藝首次超越臺積電，吸引到蘋果等客戶的晶圓代工訂單增加，更讓三星信心十足。
Exynos 7420此次在Galaxy S6中的獨(dú)挑大梁，表面上是因為高通驍龍810的過熱問題，但從深層次角度來看，三星的14nm FinFET工藝走在臺積電之前，已然做足充分的準(zhǔn)備，過熱之說只作”東風(fēng)”之勢。同樣在ArsTechnica和Primate Labs團(tuán)隊的測試結(jié)果中我們也能看出，高通驍龍810的表現(xiàn)遠(yuǎn)遜色于三星Exynos 7420。
業(yè)界消息顯示，三星旗下的系統(tǒng) LSI 部門從去年開始累積單芯片領(lǐng)域know-how，將結(jié)合應(yīng)用處理器和 Modem，發(fā)布功能更強(qiáng)大的芯片。據(jù)悉三星總裁李在镕親自下令要求三星提升半導(dǎo)體設(shè)計能力，去年已推出適用于低階智能手機(jī)的SoC芯片，如今Exynos M1也許將成為三星SoC之路的初次嘗試。
Susquehanna International Group分析師Mehdi Hosseini發(fā)表研究報告指出，三星已經(jīng)成功拉高了14納米制程工藝的產(chǎn)能，良率超過70%。他認(rèn)為三星在14納米階段，不但品質(zhì)能與臺積電媲美，且晶圓報價還比臺積電低。這一消息表示，三星解決了14納米工藝產(chǎn)能的問題，剩下的只需做好客戶的產(chǎn)能調(diào)配即可。
Korea Times消息稱，三星預(yù)計Galaxy S6與Galaxy S6 Edge的銷量可能將超過7000萬部，Galaxy S6與Galaxy S6 Edge將成為最受歡迎的Galaxy系列智能手機(jī)。Galaxy S6系列的火熱也給高通帶來巨大困擾，為挽回三星這一客戶，高通最近將驍龍820的訂單委由三星代工，希望加強(qiáng)與三星在芯片代工業(yè)務(wù)上的合作，以換取三星下一代Galaxy手機(jī)采用高通產(chǎn)品。
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