西部數(shù)據(jù)推出嵌入式閃存盤

依稀記得以前為了安全起見，在沖印照片之后，我們都把膠卷小心翼翼的包好放在安全位置，生怕劃破以后無法找到原始照片;又或者我們把播放列表里的音樂轉(zhuǎn)變成音頻CD等等，隨著科技的不斷進步，類似于這些舊的數(shù)據(jù)存儲方式已經(jīng)被存儲卡、USB驅(qū)動器、SSD這些新型技術(shù)產(chǎn)品所取代。

西部數(shù)據(jù)作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)導(dǎo)品牌，在閃存領(lǐng)域一直動作頻頻，基于當(dāng)下海量、多樣化的數(shù)據(jù)趨勢下，于近日宣布推出全新先進的iNAND嵌入式閃存盤(EFD)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品用于智能手機和輕薄型計算設(shè)備時，可以為數(shù)據(jù)中心的大量應(yīng)用加速，包括增強現(xiàn)實、高分辨率視頻捕捉及豐富的社交媒體體驗，當(dāng)然，還有新興的終端人工智能和物聯(lián)網(wǎng)體驗。

現(xiàn)場，來自Counterpoint Research的智能設(shè)備及生態(tài)系統(tǒng)研究總監(jiān)閆占孟先生分析了當(dāng)下NAND市場現(xiàn)狀，劃兩個重點：

一、NAND目前朝兩個方面發(fā)展，一是從2D轉(zhuǎn)向3D NAND，毋庸置疑，3D NAND可以承載更多的容量存儲，并將于2028年占全球市場比例將近一半。另外UFS明年中低市場也會逐漸采用，TLC會拓展到終端市場。

二、由于4G、存儲版本以及顯示屏幕的高分辨率，未來DRAM會大幅增長。

閆占孟表示：“預(yù)計到2018年末，全球每部智能手機的平均存儲容量將攀升到超過60GB，用以支持由設(shè)備上人工智能和增強現(xiàn)實所帶來的日益增多的豐富多媒體內(nèi)容和數(shù)據(jù)驅(qū)動體驗。這推動了我們向先進的3D NAND嵌入式閃存解決方案演進，從而進一步推動這些豐富的體驗。”

西部數(shù)據(jù)嵌入式及集成解決方案(EIS)產(chǎn)品市場管理總監(jiān)包繼紅女士現(xiàn)場分析了NAND的發(fā)展過程及當(dāng)下存儲市場的強勁需求。“目前5G、人工智能、機器學(xué)習(xí)進一步催熟了存儲市場，未來存儲必定會呈現(xiàn)增長趨勢。”

正如包繼紅所說，隨著5G、AI、機器學(xué)習(xí)等技術(shù)的不斷推進，存儲市場需求也在逐漸增大。

發(fā)布會上，包繼紅女士也暢談了在過年一年多時間中存儲市場供不應(yīng)求的主要原因，一是閃存的競爭，HDD逐漸轉(zhuǎn)換為SSD;二是技術(shù)競爭，2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND;三是不少手機廠商會提前備貨。

對于未來，包繼紅提到在如今的移動互聯(lián)時代下，TLC、MLC與QLC的關(guān)系，在3D NAND趨勢下，MLC顆粒到TLC顆粒已然轉(zhuǎn)換變成，而QLC屬于未來，各大廠商對于這項技術(shù)的投資會繼續(xù)，層數(shù)也會逐漸增加。

此次發(fā)布的兩款產(chǎn)品分別為iNAND 8521 嵌入式閃存盤和iNAND 7550嵌入式閃存盤，均是64層。

其中，8521嵌入式閃存盤專為需要使用大量數(shù)據(jù)的用戶設(shè)計，采用UFS 2.1接口和西部數(shù)據(jù)新型第五代SmartSLC 技術(shù)。相比于公司面向旗艦智能手機的上一代iNAND移動解決方案iNAND 7232嵌入式閃存盤，這次的iNAND 8521提供了兩倍的順序?qū)懭胨俣?和高達10倍的隨機寫入速度2。通過快速并智能響應(yīng)用戶的應(yīng)用性能需求，它使用戶能夠快速玩轉(zhuǎn)虛擬現(xiàn)實游戲，并且快速下載高清電影。

另外，7550嵌入式閃存盤幫助移動設(shè)備制造商打造存儲空間充足且具有高性價比的智能手機和計算設(shè)備，以滿足消費者不斷增長的存儲需求，同時提供快速且具吸引力的應(yīng)用體驗。基于e.MMC 5.1規(guī)范，是目前西部數(shù)據(jù)基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案，可提供高達260 MB/秒的順序?qū)懭胄阅芤约?0K IOPS和15K IOPS的隨機讀/寫性能3，更有助于同時加快自身和應(yīng)用啟動的速度。