西部數(shù)據(jù)推出嵌入式閃存盤

依稀記得以前為了安全起見(jiàn)，在沖印照片之后，我們都把膠卷小心翼翼的包好放在安全位置，生怕劃破以后無(wú)法找到原始照片;又或者我們把播放列表里的音樂(lè)轉(zhuǎn)變成音頻CD等等，隨著科技的不斷進(jìn)步，類似于這些舊的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式已經(jīng)被存儲(chǔ)卡、USB驅(qū)動(dòng)器、SSD這些新型技術(shù)產(chǎn)品所取代。

西部數(shù)據(jù)作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)導(dǎo)品牌，在閃存領(lǐng)域一直動(dòng)作頻頻，基于當(dāng)下海量、多樣化的數(shù)據(jù)趨勢(shì)下，于近日宣布推出全新先進(jìn)的iNAND嵌入式閃存盤(EFD)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品用于智能手機(jī)和輕薄型計(jì)算設(shè)備時(shí)，可以為數(shù)據(jù)中心的大量應(yīng)用加速，包括增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、高分辨率視頻捕捉及豐富的社交媒體體驗(yàn)，當(dāng)然，還有新興的終端人工智能和物聯(lián)網(wǎng)體驗(yàn)。

現(xiàn)場(chǎng)，來(lái)自Counterpoint Research的智能設(shè)備及生態(tài)系統(tǒng)研究總監(jiān)閆占孟先生分析了當(dāng)下NAND市場(chǎng)現(xiàn)狀，劃兩個(gè)重點(diǎn)：

一、NAND目前朝兩個(gè)方面發(fā)展，一是從2D轉(zhuǎn)向3D NAND，毋庸置疑，3D NAND可以承載更多的容量存儲(chǔ)，并將于2028年占全球市場(chǎng)比例將近一半。另外UFS明年中低市場(chǎng)也會(huì)逐漸采用，TLC會(huì)拓展到終端市場(chǎng)。

二、由于4G、存儲(chǔ)版本以及顯示屏幕的高分辨率，未來(lái)DRAM會(huì)大幅增長(zhǎng)。

閆占孟表示：“預(yù)計(jì)到2018年末，全球每部智能手機(jī)的平均存儲(chǔ)容量將攀升到超過(guò)60GB，用以支持由設(shè)備上人工智能和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)所帶來(lái)的日益增多的豐富多媒體內(nèi)容和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)體驗(yàn)。這推動(dòng)了我們向先進(jìn)的3D NAND嵌入式閃存解決方案演進(jìn)，從而進(jìn)一步推動(dòng)這些豐富的體驗(yàn)。”

西部數(shù)據(jù)嵌入式及集成解決方案(EIS)產(chǎn)品市場(chǎng)管理總監(jiān)包繼紅女士現(xiàn)場(chǎng)分析了NAND的發(fā)展過(guò)程及當(dāng)下存儲(chǔ)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求。“目前5G、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)一步催熟了存儲(chǔ)市場(chǎng)，未來(lái)存儲(chǔ)必定會(huì)呈現(xiàn)增長(zhǎng)趨勢(shì)。”

正如包繼紅所說(shuō)，隨著5G、AI、機(jī)器學(xué)習(xí)等技術(shù)的不斷推進(jìn)，存儲(chǔ)市場(chǎng)需求也在逐漸增大。

發(fā)布會(huì)上，包繼紅女士也暢談了在過(guò)年一年多時(shí)間中存儲(chǔ)市場(chǎng)供不應(yīng)求的主要原因，一是閃存的競(jìng)爭(zhēng)，HDD逐漸轉(zhuǎn)換為SSD;二是技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND;三是不少手機(jī)廠商會(huì)提前備貨。

對(duì)于未來(lái)，包繼紅提到在如今的移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代下，TLC、MLC與QLC的關(guān)系，在3D NAND趨勢(shì)下，MLC顆粒到TLC顆粒已然轉(zhuǎn)換變成，而QLC屬于未來(lái)，各大廠商對(duì)于這項(xiàng)技術(shù)的投資會(huì)繼續(xù)，層數(shù)也會(huì)逐漸增加。

此次發(fā)布的兩款產(chǎn)品分別為iNAND 8521 嵌入式閃存盤和iNAND 7550嵌入式閃存盤，均是64層。

其中，8521嵌入式閃存盤專為需要使用大量數(shù)據(jù)的用戶設(shè)計(jì)，采用UFS 2.1接口和西部數(shù)據(jù)新型第五代SmartSLC 技術(shù)。相比于公司面向旗艦智能手機(jī)的上一代iNAND移動(dòng)解決方案iNAND 7232嵌入式閃存盤，這次的iNAND 8521提供了兩倍的順序?qū)懭胨俣?和高達(dá)10倍的隨機(jī)寫(xiě)入速度2。通過(guò)快速并智能響應(yīng)用戶的應(yīng)用性能需求，它使用戶能夠快速玩轉(zhuǎn)虛擬現(xiàn)實(shí)游戲，并且快速下載高清電影。

另外，7550嵌入式閃存盤幫助移動(dòng)設(shè)備制造商打造存儲(chǔ)空間充足且具有高性價(jià)比的智能手機(jī)和計(jì)算設(shè)備，以滿足消費(fèi)者不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求，同時(shí)提供快速且具吸引力的應(yīng)用體驗(yàn)?；趀.MMC 5.1規(guī)范，是目前西部數(shù)據(jù)基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案，可提供高達(dá)260 MB/秒的順序?qū)懭胄阅芤约?0K IOPS和15K IOPS的隨機(jī)讀/寫(xiě)性能3，更有助于同時(shí)加快自身和應(yīng)用啟動(dòng)的速度。