合肥長鑫年底量產(chǎn)首款內(nèi)存芯片，19納米工藝8GB LPDDR4

存儲芯片被譽為工業(yè)的糧食，存儲芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用，無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片，都是通過在單一芯片中嵌入軟件，實現(xiàn)多功能和高性能，以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。

中國ÿ年進口的集成電·超過3000億美元，其中存儲芯片占了大約1/3的份額，但DRAM內(nèi)存及NAND閃存目前尚無國產(chǎn)廠商染指，國產(chǎn)率基本為0，其中高價值的內(nèi)存幾乎¢斷在三星、SK Hynix及美光三家公司中。

Digitimes報道稱，合肥長鑫(ChangXin Memory Technologies，簡稱CXMT)公司計劃在今年底量產(chǎn)首款內(nèi)存芯片，是8GB LPDDR4顆粒，預計Q4季度產(chǎn)能約為2萬片晶圓/月，不過產(chǎn)能最終會擴大到12.5萬片晶圓/月。

根據(jù)長鑫之前的公告，其首批8Gb LPDDR4內(nèi)存應(yīng)該是19nm工藝的，預計在2020年建設(shè)第二座晶圓廠，將使用20nm以下的工藝生產(chǎn)內(nèi)存，該公司計劃在2021年量產(chǎn)17nm工藝的內(nèi)存芯片。

此外，國內(nèi)研發(fā)DRAM內(nèi)存的另一家公司福建晉華JHICC被美國制裁，業(yè)務(wù)幾乎停擺，長鑫公司也擔心被美國盯上，促使他們在研發(fā)過程中非常注重知識產(chǎn)權(quán)。

從長鑫公司之前公布的消息來看，他們的內(nèi)存技術(shù)主要源于破產(chǎn)的奇夢達公司，將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是公司最初的技術(shù)來源之一。長鑫存儲在所接收技術(shù)和國際合作的基礎(chǔ)上，利用專用研發(fā)線，展開世界速度的快速迭代研發(fā)，已持續(xù)投入晶圓超過15000片。