什么是1xnm，1ynm和1znm？
在20nm之上，供應商們希望通過兩代或三代1xnm節(jié)點去升級DRAM，也被稱為1xnm，1ynm和1znm。1xnm處于16nm和19nm之間，1ynm規(guī)定在14nm到16nm，1znm規(guī)定在12nm到14nm。
10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
這款實現(xiàn)了單一芯片標準內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。于第二代1Y產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的生產(chǎn)效率提高了27%，并且可以在不適用超高價的EUV(極紫外光刻)曝光工藝的情況下進行生產(chǎn)，結(jié)果具有成本競爭力。
該款1Z納米 DRAM還穩(wěn)定支持最高3200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，這是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。 功耗也顯著提高，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，將功耗降低了約40%。
特別是，第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關鍵要素靜電容量(Capacitance)最大化。此外，還引進了新的設計技術，提高了動作穩(wěn)定性。
DRAM 1Z 開發(fā)事業(yè)TF長 李廷燻表示：“第三代10納米級DDR4 DRAM擁有業(yè)界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最適合于購買高性能/高容量DRAM的客戶需求變化。計劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開始正式供應， 積極應對市場需求。”
另一方面，SK海力士計劃對于下一代移動DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多種應用領域擴大適用第三代10納米級微細工程技術。
2019年上半DRAM價格下跌壓力沉重，盡管上游產(chǎn)能調(diào)節(jié)以及傳統(tǒng)旺季拉貨需求逐漸回升，預料將有望支撐跌價趨緩，為了提高生產(chǎn)效益及拉大競爭差距，DRAM大廠競相推進下一代制程技術。
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