中芯國(guó)際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

21ic訊 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲(chǔ)器無(wú)晶圓廠客戶對(duì)高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長(zhǎng)的需求，使中芯國(guó)際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

NAND 閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(chǔ)(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域?？蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接口(SPI)NAND 市場(chǎng)的發(fā)展以及不斷增長(zhǎng)的 IoT 相關(guān)產(chǎn)品的應(yīng)用。此次中芯國(guó)際成功推出38納米 NAND 閃存技術(shù)，能夠幫助客戶滿足中國(guó)及全球市場(chǎng)對(duì)此技術(shù)的需求。

中芯國(guó)際技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁李序武博士表示，“此前中芯國(guó)際已開發(fā)出一系列從130納米到65納米的特殊 NOR 閃存平臺(tái)。經(jīng)過(guò)研發(fā)團(tuán)隊(duì)專注及系統(tǒng)的努力，我們成功推出了38納米 NAND 閃存，在技術(shù)多元化方面取得重要進(jìn)展，也為后續(xù)開發(fā)更先進(jìn)的2x/1x納米及3D NAND 閃存奠定了穩(wěn)固的基礎(chǔ)。我們將繼續(xù)努力推進(jìn) NAND 閃存技術(shù)的開發(fā)，以滿足無(wú)晶圓廠客戶對(duì)高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求。”

中芯國(guó)際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，“這一重要里程碑對(duì)中芯國(guó)際以及特殊存儲(chǔ)器客戶及合作伙伴，都具有重大的戰(zhàn)略性意義。對(duì)客戶來(lái)說(shuō)，中芯國(guó)際顯示了其在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)開發(fā)方面的決心和能力。此外，還證明中芯國(guó)際有足夠的實(shí)力在精心選擇的細(xì)分市場(chǎng)確立領(lǐng)導(dǎo)地位。”