傳三星Galaxy S8要上8GB運(yùn)行內(nèi)存：10nm良率是問題

 Galaxy Note 7的失敗，不僅讓三星更加重視S8的開發(fā)，也讓消費(fèi)者們對(duì)這款產(chǎn)品備受期待。之前，曾劇透三星S8值得期待的地方包括：首發(fā)驍龍835、5.7/6.2英寸RGB Super AMOLED 2K全面屏設(shè)計(jì)、前攝像頭自動(dòng)對(duì)焦、虹膜識(shí)別、光學(xué)指紋識(shí)別、Y-OCTA觸控技術(shù)、哈曼卡頓環(huán)繞式雙揚(yáng)聲器等。

現(xiàn)在有消息稱，三星Galaxy S8將有可能用上8GB RAM和UFS 2.1閃存芯片。值得一提的是，今年10月份的時(shí)候，三星就宣布該公司開發(fā)的全球首款8GB LPDDR4 DRAM投入量產(chǎn)，采用10nm工藝，數(shù)據(jù)處理能力高達(dá)4266Mbps，性能已經(jīng)超越PC同類DDR4 DRAM。

這樣一來，三星Galaxy S8有可能實(shí)現(xiàn)處理器、運(yùn)存雙10nm的配搭， 理論上功耗將下降不少，續(xù)航提升會(huì)非常明顯。但是，10nm工藝的良品率低至今仍然是業(yè)界普遍關(guān)注的一大問題，或許正是因?yàn)檫@個(gè)原因，之前有消息傳三星S8發(fā)布時(shí)間將延遲到明年4月份。

另外也有消息稱，如果良品率長(zhǎng)期仍然無法改善，那么這款運(yùn)存芯片很有可能要等到明年Galaxy Note 8才能使用。

值得一提的是，三星Galaxy S8還有可能首發(fā)之前傳聞的Exynos 8895，同樣采用10nm工藝，早期工程版跑分高達(dá)單線程2301，多線程7019分，主頻3.0GHz，性能依然非常強(qiáng)勁。不過國行可能還是得用驍龍835，畢竟三星徹底搞定全網(wǎng)通還要再等1-2年。

如果真的用上了8GB運(yùn)存，你會(huì)買買買三星Galaxy S8嗎?