造成內(nèi)存瘋漲的五大原因

回顧去年，不難發(fā)現(xiàn)，存儲(chǔ)器行業(yè)大熱，一直都呈現(xiàn)為上升的趨勢，如果說去年買什么IT產(chǎn)品最賺錢，相信大部分人都會(huì)第一時(shí)間想到內(nèi)存，沒錯(cuò)，這兩年時(shí)間，內(nèi)存翻了一番都不止，早在去年的下半年，就已經(jīng)有消息傳出今年Q1內(nèi)存還會(huì)再漲15%左右，事實(shí)果然沒有讓大家失望，只開年一個(gè)月時(shí)間，內(nèi)存果然再次飆升18%，現(xiàn)在的DRAM內(nèi)存顆粒市場現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)達(dá)到最近18個(gè)月以來的最高值，漲漲漲的趨勢依然在繼續(xù)。

去年六月底到2月7日的內(nèi)存價(jià)格變化曲線(價(jià)格翻倍)

那么這一年來由于產(chǎn)能不足帶來的內(nèi)存瘋狂漲價(jià)的原因是什么呢?筆者認(rèn)為：

1.服務(wù)器市場以及國產(chǎn)智能手機(jī)市場的熱銷，內(nèi)存及閃存漲價(jià)已經(jīng)早就顯出苗頭。供需平衡的打破，讓芯片價(jià)格提升成為必然。

2.內(nèi)存顆粒壟斷在三星、美光、SK Hynix等廠商手中，這就造成廠商可以對價(jià)格進(jìn)行操控。而去年由于三星手機(jī)問題等各種不順的消息下，不少人也將此次內(nèi)存漲價(jià)原因歸罪到三星的私心之上。

3.消息稱今年主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃，而是將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND閃存這些移動(dòng)端內(nèi)存，這種局面造成全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。所以內(nèi)存價(jià)格仍會(huì)居高不下。

4.除了DRAM內(nèi)存顆粒緊缺之外，制造內(nèi)存所需的內(nèi)存控制器、PCB板以及組裝成本都在逐漸上漲，造成內(nèi)存整體成本價(jià)格不斷上漲，因此造成其零售價(jià)的漲幅變大。

5.不能排除一部分代理手里著囤積一定量的內(nèi)存，就是捂著不對外放貨。他們的如意算盤是迫使內(nèi)存市場出現(xiàn)“供不應(yīng)求”，然后他們就可以坐地起價(jià)。除此之外也有個(gè)別的散戶，充分的將“煽風(fēng)點(diǎn)火，投機(jī)倒把”發(fā)揮的淋漓盡致。