在定增計劃失敗后，紫光集團加強了集團內(nèi)資源整合的力度，以期加快推進存儲器的發(fā)展計劃。日前，紫光國芯發(fā)布重大資產(chǎn)重組進展公告，將以增資的方式收購存儲器生產(chǎn)廠商長江存儲全部或部分股權(quán)。這顯示出紫光集團未來將以上市公司紫光國芯作為平臺，布局存儲器這個重點業(yè)務(wù)領(lǐng)域。
加快存儲器業(yè)務(wù)整合，以紫光國芯為平臺
紫光集團發(fā)展存儲器的布局動作正在加快。日前，紫光集團董事長趙偉國在接受媒體采訪時表示，紫光集團現(xiàn)在最重要的兩大發(fā)展方向，就是3D NAND閃存技術(shù)和移動芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片。3D NAND閃存被大量應(yīng)用在智能手機、數(shù)據(jù)中心，以及其他電子產(chǎn)品之中，未來成長看好。同時，趙偉國還表示，在10年內(nèi)，紫光集團要躋身成為全球前五大存儲器制造商。
不過目前來看，紫光集團的存儲器事業(yè)分散在三個部分：長江存儲，于2016年7月由紫光集團和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資成立，按照國家存儲器基地項目規(guī)劃，長江存儲的主要產(chǎn)品為3D NAND，預計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能;紫光國芯，前身是成立于2001年的晶源電子，是國內(nèi)壓電晶體元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，2015年紫光集團成為紫光國芯的控股股東后，將在原奇夢達科技(西安)有限公司改制重建基礎(chǔ)上發(fā)展起來的西安紫光國芯半導體有限公司置入其中，紫光國芯逐漸形成智能卡芯片、特種行業(yè)集成電路、FPGA和存儲器芯片等核心業(yè)務(wù)。此外，紫光集團還于 2017 年初在南京宣布動土興建 12英寸晶圓廠，生產(chǎn)3D NAND、DRAM存儲芯片等。
在此情況下，將三部分事業(yè)加以整合，就是一個必然的舉動，而紫光國芯作為上市公司，成為存續(xù)公司將有利于后續(xù)發(fā)展。芯謀咨詢首席分析師顧文軍表示，長江存儲現(xiàn)在成為紫光集團的重中之重，存儲器也成了紫光集團“成敗在此一舉”的關(guān)鍵點，并且發(fā)展存儲器需要后續(xù)源源不斷的資金投入，所以盡快將長江存儲放入上市公司是必須的。但是，顧文軍還表示，業(yè)內(nèi)都知道存儲器是一個高投入、高風險、高壁壘的戰(zhàn)場，別說5年，7年內(nèi)都很難盈利，紫光能在這個時候就將這個短期內(nèi)盈利難的資產(chǎn)放到上市公司，體現(xiàn)出紫光集團對存儲器產(chǎn)業(yè)的高度重視。
據(jù)業(yè)界消息，紫光國芯整合長江存儲公司后，將以紫光國芯為存續(xù)公司。繼3月并購西安紫光國芯，成為百分之百子公司后，紫光國芯現(xiàn)又將長江存儲并入，此行動將加速公司未來通過資本市場進行募資，以利后續(xù)的內(nèi)存研發(fā)和量產(chǎn)進程。
下半年市場將進入3D 閃存時代，中國挑戰(zhàn)加劇
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，紫光集團將立足自主研發(fā)，發(fā)展存儲器業(yè)務(wù)，其中長江存儲計劃于今年年底推出32層堆疊的3D NAND閃存樣品，然后繼續(xù)進行64層產(chǎn)品的開發(fā)。另外，根據(jù)加盟紫光集團、出任全球執(zhí)行副總裁的原華亞科技董事長高啟全透露，長江存儲正致力于開發(fā)自己的存儲芯片，除了3D NAND閃存之外，還組建了500人的研發(fā)團隊，攻關(guān)DRAM內(nèi)存制造技術(shù)。
不過，在目前的國際產(chǎn)業(yè)環(huán)境下，中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)并不容易。Gartner半導體分析師盛陵海表示，紫光是中國發(fā)展半導體業(yè)領(lǐng)頭羊之一，但要真的成為全球一線存儲器制造商，前方困難還非常多。“因為中國在內(nèi)存方面技術(shù)基礎(chǔ)并不深，加上目前海外收購看起來比較不可能，所以目前要一邊蓋廠、一邊自主開發(fā)推動技術(shù)進展，實在是非常有挑戰(zhàn)的事。”盛陵海說。
根據(jù)集邦咨詢的報告，三星和美光3D NAND Flash產(chǎn)出比重已經(jīng)超過50%。三星依舊維持3D NAND的領(lǐng)先地位，其48層3D NAND閃存已廣泛應(yīng)用在企業(yè)級固態(tài)硬盤、消費級固態(tài)硬盤和移動設(shè)備中。三星平澤廠設(shè)備裝機已告完畢，預計將從7月起正式生產(chǎn)最新64層的3D NAND。美光目前3D NAND產(chǎn)出比重也超過50%，目前其32層3D NAND出貨十分旺盛。東芝于今年初推出命名為BiCS Flash的64層3D NAND，樣品已于2月出貨。該產(chǎn)品結(jié)合了TLC技術(shù)，最高可以實現(xiàn)512GB的容量。SK海力士繼之前推出36層與48層后，日前宣布直接推出72層的3D NAND產(chǎn)品，預期下半年量產(chǎn)。
集邦咨詢認為，隨著下半年各家廠商最新64層的3D NAND產(chǎn)能陸續(xù)開出，預估第三季度3D NAND閃存產(chǎn)出比重將正式超越50%，成為 NAND Flash市場的主流工藝。規(guī)劃中，3D NAND將是中國發(fā)展存儲器的突破口，但是隨著國際大廠的推進，市場正加快進入3D閃存時代，中國企業(yè)抓住這個機會窗口的挑戰(zhàn)正變得越來越大。
對此，半導體專家莫大康認為，存儲器行業(yè)存在明顯的周期性起伏，每經(jīng)過2~3年總有一段上升或者下降周期，體現(xiàn)在價格波動方面。當前的存儲器市況，從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1.31美元一路走高，年底升至1.94美元，且在供給有限而需求增加的狀況下，存儲器2017年有望延續(xù)漲勢。所以，中國存儲器業(yè)要能趕上一波產(chǎn)業(yè)的上升周期，或許可能實現(xiàn)贏利，而這顯然取決于競爭實力以及足夠的耐心與堅持。
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