隨著AI、大數(shù)據(jù)等應用的興起，業(yè)界對于存儲的要求達到了一個新的高度。但現(xiàn)在主流的存儲中，NAND的傳輸速度比較慢，而傳輸較快的DRAM則是易失性的，這就推動存儲供應商往下一代的存儲進軍，其中ReRAM就是其中一個代表。
這個被稱作可變電阻式內(nèi)存(Resistive random-access memory)是一種新型的非易失性內(nèi)存，擁有消耗電力較低，且寫入信息速度比NAND閃存快1萬倍的特點。能夠被應用到系統(tǒng)的主內(nèi)存(DRAM)和儲存器(NAND 閃存)之間，填補這兩者之間日益增大的延遲差距;或者被應用到神經(jīng)形態(tài)計算中，實現(xiàn)人工智能和機器學習。早前惠普推出的新型計算機“The Machine”就應用了這項存儲技術(shù)。除此之外，包括4DS、Adesto、Crossbar、美光、松下、三星、索尼等公司也在開發(fā) ReRAM技術(shù)。
但是，ReRAM是一項很難掌握的技術(shù)：
對晶圓廠的生產(chǎn)來說，它是一種相對簡單直接的工藝。ReRAM 和 STT-MRAM 都只需要少量幾個掩模步驟而且可在晶圓廠中所謂的生產(chǎn)線后道工序(BEOL)制造生成。而且 STT-MRAM 和 ReRAM 都構(gòu)建在芯片的金屬層的觸點或通孔之上。
除制造以外，測試也是需要亟待翻越的另一座大山。如我們需要解決其中的缺陷測試問題。
在正常條件下，ReRAM能夠在HRS和LRS兩種狀態(tài)建切換，這時候CFR能夠被觀察到，然后就能根據(jù)觀察狀態(tài)找到問題所在。為達到這些目的，就需要針對可靠性評估開發(fā)出新的表征技術(shù)。自動化程度極高的Keithley 4200就能完美解決這些問題。
不止ReRAM，標準邏輯產(chǎn)品也是Keithley 4200的優(yōu)勢所在。
我們知道，摩爾定律的發(fā)展，推動著邏輯產(chǎn)品向微縮發(fā)展。新制程、材料、架構(gòu)甚至新產(chǎn)品概念的引入，都會給產(chǎn)品的可靠性帶來挑戰(zhàn)，進而給測試設備帶來了。例如越來越薄的氧化層，就要求更快的測試速度;如何區(qū)分和明白不同類型的缺陷，對他們來說就顯得尤其重要。
這時候Keithley 4200也就有了用武之地。
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